多通道量子亏损理论及K矩阵的处理

多通道量子亏损理论已被广泛应用于原子、分子光谱领域里的理论研究，并取得了和实验相一致的结果，笔者对ＭＱＤＴ理论模型作了详细论述，并推导了了用于理论计算的Ｋ矩阵。

锡原子奇宇称5pnd和5pns J=1,2 Rydberg系列的多通道量子亏损理论研究

利用多通道量子亏损理论(MQDT),对锡原子奇宇称5pnd和5Pns组态的J=1,2简并受扰Rydberg系列能级进行了理论分析研究.通过拟合实验能级,得到了MQDT优化参数,所得理论能级值与文献报道的实验结果符合得很好.由算得的通道混合系数,分析讨论了通道相互作用特性,确定了所有能级的原子态命名.本文结果有助于人们更好地了解锡原子高激发态的能级结构和组态相互作用特性.

锂原子能级和光学振子强度的相对论性理论研究

应用相对论多通道理论,计算锂原子1s2ns2S,1s2np2P,1s2nd2D和1s2nf2F系列束缚态和相邻连续态的本征量子数亏损,并拟合得到量子亏损函数,进而计算1s2np2P系列n=7～60的电离能和量子数亏损,计算结果与最新的实验值相符合.采用相对论多组态相互作用方法计算锂原子1s22s→1s2np1/2偶极跃迁光学振子强度,结果表明,通过包含单、双电子激发组态考虑电子关联作用,计算结果有很大的改善.

Al Ⅱ~1P_1~0序列能级结构的多通道量子亏损理论分析

本文利用多通道量子亏损理论(MQDT),分析了Al II受干扰序列~1P_1~0的能级结构。分析表明,主序列3snp^1P_1~0受到了来自双激发态3p4s^1P_1~0的强烈干扰。这种相互作用使3p4s^1P_1~0分布到整个3snp^1P_1~0之中,而不再对应于一条单独的谱线。利用拟合能级实验数据所得的MQDT参数,计算了序列3snp^1P_λ~θ中n≤50的能级。对于已测得的能级,计算结果与实验值符合得很好。

Sc原子高激发态理论研究

利用相对论性多通道量子亏损理论计算了Sc的原子里德堡态能级 .计算结果显示 ,由于通道间的相互作用 ,使得光谱非常复杂 ,这与实验测量结果是一致的 .

GaII能谱的多通道量子数亏损理论(MQDT)分析

本文利用多通道量子数亏损理论(MQDT),通过拟合Isberg等人新近关于Gall的实验能级数据,确定出偶宇称J=0,1,2,3和奇宇称J=1,2六个对称块的MQDT参数,预言了11个Rydberg系列离散能级的位置,并分析了各Rydbyrg系列之间的干扰情况,除个别低能级外,能级计算值与已测得的实验值符合得很好。

铅原子6pnd J=2受扰Rydberg系列能级的多通道量子亏损理论

利用多通道量子亏损理论(MQDT)分析了铅原子奇宇称6pnd J=2 Rydberg系列能级,计算出6pnd(6≤ n ≤ 63)J=2 Rydberg系列能级的能量位置,得到了最优化的MQDT参数。利用这些参数计算了每个能级的通道混合系数,并根据混合系数确定了每个能级的原子态符号。计算结果表明,在所研究的能量范围内,6p6d(3/2)[5/2]_2~0和6p6d(3/2)[3/2]_2~0两个干扰态附近的能级出现强烈的通道混合现象。采用与文献中不同的五通道计算模型,确定了其他文献中没有报道的铅原子的21个6pnd(1/2)[3/2]_2~0能级的位置,并确定了铅原子能量在59788cm^(-1)以下的所有奇宇称6pnd J=2 Rydberg态的能级符号,计算结果清楚地显示出各通道间的通道混合和相互作用情况。

GeⅢ实激发组态4p5p及偶宇称高激发态能级的理论计算

利用多通道量子数损理论（ＭＱＤＴ）对二价锗离子ＧｅⅢ偶宇称１１个Ｒｙｄｂｅｒｇ序列的高激发能级进行了计算和分析，预言了各序列ｎ＜５０的高激发态能级的位置，讨论了实激态对主序列的干扰，首次预言了实激发组态４ｐ５ｐ各谱项的位置。

Ti^(+19)离子的能量和振子强度

用全实加关联方法计算类锂Ti+19离子1s22p～1s2nd(3≤n≤9)的跃迁能、振子强度和1s2np与1s2nd(n≤9)态的精细结构劈裂.得到的3种规范下振子强度的计算结果符合的很好,与已有的实验数据也相符合.确定了这2个Rydberg系列的量子数亏损.将上述分立态振子强度的计算结果与单通道量子亏损理论相结合,计算在电离阈附近(|E|≤I/2)束缚态束缚态跃迁振子强度与束缚态连续态跃迁的振子强度密度,实现了具有较大核电荷数的Ti+19离子量子跃迁特性的全能域理论预言.

铅原子J=2奇宇称能谱的MQDT分析

在多通道量子数亏损理论 (MQDT)的基础上 ,对铅原子J =2奇宇称的MQDT模型进行了分析 ,并利用MQDT波函数给出了计算高激发态寿命的一般方法 ,计算并预言了 6 pnd 123202和 6 pnd

镉原子J=2偶宇称Rydberg系列寿命的研究

利用多通道量子亏损理论(MQDT)对现有的镉原子实验能级及寿命进行了分析,在此基础上,对镉原子J=2偶宇称的能谱采用一阀两通道模型,通过拟合实验光谱数据得到了MQDT参数;并利用MQDT波函数给出了计算高激发态寿命的一般方法,计算得到了5snd1/2[5/2]2(6≤n≤23)系列Rydberg态共18个能级和寿命,预言了该系列4个Rydberg态的新的能级位置和14个新的能级寿命,拟合出了它们的寿命计算公式:τ=0.39632nν.784.

镉原子J=1偶宇称能谱的MQDT分析

在多通道量子数亏损理论(MQDT)的基础上,对镉原子J=1偶宇称的MQDT模型进行了分析,并利用MQDT波函数给出了计算高激发态寿命的一般方法,计算并预言了5sns12125snd21321(6≤n≤23)这两个Rydberg系列的寿命,拟合出了它们的寿命计算公式:5sns21211系列为τ=0.8980v2n.755;5snd12231系列为τ=0.3628v2n.829.

汞原子6sns ~3S_1,6snd ~3D_1 Rydberg系列的寿命(英文)

利用多通道量子数亏损理论计算了汞原子 6sns3S1 (n =11～ 2 5 ) ,6snd3D1 (n =12～ 2 4 )两个Rydberg系列的能级和寿命 ,给出了这两个系列寿命所遵循的公式 ,6sns3S1 系列为τ =0 814v2 835(ns) ,6snd3D1 系列为τ =0 30 2v2 92 6 (ns) 。

铅原子奇宇称Rydberg系列寿命的研究

在多通道量子数亏损理论 (MQDT)的基础上 ,利用已给出的用MQDT波函数统一计算高激发态寿命的方法 ,计算并预言了J =1奇宇称两个Rydberg系列的寿命 ,在利用MQDT计算时 ,确定了 6p6d 323201的能级位置 .

镁原子3sns能谱及寿命的研究

利用多通道量子数亏损理论对镁原子３ｓｎｓ高激发态的光谱进行了研究。首次报道了３ｓｎｓ１Ｓ０ｎ＞１１以上的能级以及相应的寿命。

一价镧离子高n里德伯态

基于五步激光共振激发,经由中间态(Xe) 5d6d^3F_2的一价镧离子光谱,分析了该实验谱,确定了一价镧离子一强一弱两个自电离里德伯系列.同时利用多通道量子亏损理论(MQDT)框架下的相对论多通道理论(RMCT)计算,标识了这两个自电离里德伯系列,强的自电离里德伯系列标识为5dnp(5/2,1/2)_3和/或5dnp(5/2,1/2)_2,弱系列标识为为5dnf(5/2,5/2)_3和/或5dnf(5/2,5/2)_2.根据实验谱峰数据,发现有效量子数很高时,里德伯和自电离里德伯能级量子数亏损随激发能量不平滑变化,并分析了可能的原因.

Ba原子6pns(J=1)自电离态弹射电子的角分布

文中采用多通道量子理论 (MQDT) ,并结合R矩阵方法 ,研究了Ba原子 6 pns(j =1/2 ,3/ 2J =1)自电离态弹射电子的角分布。此外 ,还研究了Ba原子从 6pjns自电离态衰变到6s1/2 ,5d3/2 ,5d5/2 和 6 p1/2 各个电离限的弹射电子的非对称因子与激发能量的相互关系。计算结果表明 6 p1/2 ns和 6 p3/2 ns自电离系列的弹射电子角分布具有不同的特征。计算结果不仅与已有的实验结果相符合 ,而且还预期了一些新的实验现象。

Be等电子序列的奇宇称(J=2)的高激发态结构

应用本征通道量子亏损理论（ＥＱＤＴ），研究ＢｅⅠ等电子序列（奇宇称，Ｊ＝２）的高激发态结构，得到了表征高激发态结构的ＥＱＤＴ参量（Ｕｉα，μα），以这些参量作为输入，获得了２ｓｎｐ、２ｐｎｓ、２ｓｎｆ、２ｐｎｄ组态的Ｒｙｄｂｅｒｇ能级位置及通道混合系数。

Ba原子6pns(J=1)自电离系列的光谱特性

采用多台激光器和孤立实激发技术,研究Ba原子6pns(J=1)自电离系列的光谱.不但测量了6p1/2ns和6p3/2ns自电离态(n≤10)的能级位置、宽度和共振线形,而且也运用多通道量子亏损理论对这些自电离态的光谱特性进行了分析,从而满意地解释了实验结果.

BeⅠ等电子序列的高激发态结构（奇宇称，J＝0）

本文应用本征通道量子亏损理论（ＥＱＤＴ），系统地研究了ＢｅⅠ等电子序列（ＢｅⅠ－ＭｇＫ）的高激发态结构。得到了描述高激发态结构的ＥＱＤＴ参量（μα，Ｕｉ）以及它们随核电荷数增大的变化规律。以这些参量作为输入，获得了类Ｂｅ体系２ｓｎｐ．２ｐｎｓ，２ｐｎｄ组态的全部Ｒｙｄｂｅｒｇ能级及混合系数。结果表明：理论值与实验值在高激发能区趋于一致，相对误差在１０－５左右。