基于波前编码技术的对数位相掩膜板设计

为了扩大成像的景深,深入研究了基于波前编码延长景深系统的理论基础与设计方法,以稳相法为近似依据得到对数位相掩膜板的数学模型。该模型通过设定目标函数,应用Hilbert空间角度衡量2个函数的近似程度,得到对数位相掩膜板的优化参数。并分析了使用对数位相掩膜板的图像系统MTF和光点列图,实验证明这种新方法具有保持离焦恒定、延长景深的作用。

移相掩模应用技术

一种用于大栅宽器件的移相掩模应用技术是将移相器边缘线用作不透明掩模，以代替铬图形。利用此移相掩模技术，制作了特征线长为０．１５μｍ的微细栅条和大栅宽器件。

Formation Technologies of Fiber Bragg Gratings

１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＷｉｔｈｔｈｅｒａｐｉｄｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆｔｈｅｏｐｔｉｃａｌｆｉｂｅｒｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，ｔｈｅｄｅｍａｎｄｆｏｒｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎｏｆｏｐｔｉｃａｌｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓｉｓｉｎｃｒｅａｓｉｎｇ，ｗｈｉｃ...

新型TFT-LCD黑矩阵的细线化研究

介绍了新型TFT LCD黑矩阵细线化研究.在原有工艺设备的基础上,突破设备局限和工艺瓶颈,通过引入相掩膜技术和背面曝光设备,达到进一步减小黑矩阵线宽的效果.实验测试结果显示：在普通掩膜板设计上应用相位移掩膜板技术,降低透光区边缘衍射和散射现象,使曝光后黑矩阵线宽降低1.0～1.5 μm.在原有工艺基础上添加背面曝光工艺,使黑矩阵材料在显影后进行背面曝光预固化,改善黑矩阵图形形貌,进一步减小黑矩阵线宽达到0.3～0.5 μm.通过新工艺和新设备的引入和应用,黑矩阵线宽整体降低1.5～2.0 pm,达到5.0～5.5 μm,可以满足目前高PPI（单位面积像素个数）产品对透过率和对比度要求.

影响PSM工艺产品良率因素的研究

文章围绕实际工作中遇到的0.13μm Logic产品的良率问题展开。主要通过分析比较相位移掩膜工艺和传统铬膜工艺的优缺点,找出可能导致产品良率低的主要因素。最后集中分析光阻膜厚与关键尺寸大小的关系图。当关键尺寸小到0.13μm以下时,前层图形的影响对光阻膜厚的选择至关重要,进而对良率也有相应的影响。通过针对光阻膜厚的选择建立理论模型,并设计相关实验进行验证,最后得到结论。在研究过程中会用到一些与光刻相关的先进机器设备和软件。硬件方面包括光阻涂布和显影机、扫描式曝光机、关键尺寸量测机、显影后检查硅片表面宏观缺陷的机器、检查硅片表面微观缺陷的机器等等,软件方面包括设计尺寸的检查软件、光学邻近效应修正软件等。