1μm/1.5μm基于非互易性相移器的高重频飞秒光纤激光器

高重频的飞秒脉冲激光器在工业加工、医疗、精密测量等各个领域都有着重要应用。为了分析“9”字腔锁模激光器的自启动性能,利用琼斯矩阵建立了非线性放大环形镜的传输函数,分析了环形镜中不同波片角度对腔内往返传输函数的影响。搭建了基于非线性放大环形镜的光纤激光器,分别使用了掺镱光纤、掺铒光纤作为增益介质,在1μm和1.5μm波段分别实现了重复频率为600 MHz和280 MHz的基频锁模。所设计的激光器具有脉宽窄、光谱宽、稳定性好、自启动成功率高的特点,激光器完成了集成化封装,能够满足微纳加工、激光医疗、光频率梳等领域对飞秒激光的应用需求。

与频率无关的压控精密相移器

本文提出了一种压控精密相移器．设定相移的调整范围从１４°～１６０°连续可调．在４５Ｈｚ～６０Ｈｚ的频率范围内相移变化小于０．５°，该电路输入信号电压范围是１４０ｍＶ～５Ｖ，它已成功的用于电力系统的测量仪表中，本文介绍了电路工作原理，电路结构和实验结果．

一种新型高功率微波相移器

研究了一种新型高功率微波相移器--同轴插板式相移器,其设计思想为:在同轴波导内插入金属导体板,将同轴波导分为几个扇形截面波导,由于扇形截面波导中传输的TE11模相速度与同轴TEM模的相速度不同,通过改变插入金属板的长度就可以实现相移的调节.设计了中心频率为4 GHz的同轴插板式相移器,并进行了数值模拟验证.结果表明:当相移器同轴波导内半径为2.0 cm,外半径为4.5 cm,相移器总长度为50 cm时,可实现的最大相移量为360°,在3.9～4.1 GHz频率范围内相移器的插入损耗低于0.1 dB.

基于绝缘硅超小微环谐振器的微波光子相移器设计

设计了一种基于绝缘硅材料的超小微环相移器,能够在自由频谱范围内实现2π相移的同时相移达到最佳线性化.根据全通微环谐振器的相移特性可知,在临界耦合点时微环谐振器达到π的相移,在过耦合领域达到2π相移.分析了直波导宽度及间距两个参量,用精细度F表征间距,讨论了由于这两个参量变化对微环谐振器相移的影响,并且给出了设计的相移范围和相应的功率变化.实验结果表明:若采用40GHz的射频信号,设计的微环相移器射频相移范围为0～4rad,功率变化不到6dB.

相移测量技术中相移器研究

本文介绍一种用于相移测量技术的相移器。该相移器由计算机通过Ｄ／Ａ接口板自动控制输出电压幅度，其电路采用闭环控制，位移由压电晶体产生，具有很高的电压稳定度（０１％）和较小的相移误差（小于３°）。描述相移器的结构。

一种用于相控阵天线的新型钛酸锶钡电光相移器

钛酸锶钡电光相移器同铁氧体相移器相比，主要优点是功率处理能力大、相移速度快、驱动功率小、插入损耗小、体积小、重量轻．介绍了钛酸锶钡（简称ＢＳＴＯ）相移器及在相控阵天线中的应用，主要包括这种相移器的发展过程、工作原理及其对材料性能的要求．

高阻硅基铝硅合金弹性膜MEMS相移器

级联式 MEMS相移器可通过悬浮于共平面波导之上的微机械可调电容的变化 ,来改变传输线的特性阻抗和相速 ,达到相移的目的 .文中讨论了 MEMS相移器特性对微机械电容和下拉电压的要求 ,并通过轻质量的铝硅合金弹性膜 ,获得了较低的下拉电压 .测试结果表明 ,相移器的下拉电压不大于 4 0 V,且当控制电压大于 10 V时 ,即有明显的相移 .该 MEMS相移器制备于电阻率大于 4 0 0 0 Ω· cm的高阻硅衬底上 ,获得了较好的传输特性 ,在整个测试频段 1～ 4 0 GHz,S2 1 均小于 3d B,并在 2 5 V时获得了大于 2 5°的相移量 .

MEMS显微干涉测量系统中相移器性能的研究

显微干涉测量方法是一种被广泛使用的高精度表面测量方法,其中相移器的性能直接影响到系统测量的精度.对MEMS测量系统中使用的压电陶瓷相移器的主要误差源,包括迟滞、非线性和蠕变等进行了分析,并对开环条件下的相移器运动进行了标定.实验分别在开环和闭环条件下测量了经过NIST认证的标准44nm台阶,说明了两种条件下的测量精度,10次测量的平均值分别为41.34nm和43.24nm,标准偏差分别为2.08nm和0.41nm.

同轴插板式相移器数值模拟与实验研究

根据同轴插板式相移器的基本工作原理，对该相移器进行了数值模拟与优化设计，并重点研究了其结构工艺和相移控制方式。在此基础上研制了一个中心频率为4．1GHz的相移器模型，并通过矢量网络分析仪进行了实验测量。测量结果表明：在4．0～4．2GHz的频带范围内，该相移器可实现90°的相移量，相移量化精度为1°，相移精度为±10°，相移器插损1．5dB。

相移器平移误差与倾斜误差不敏感相移新算法

相移器的相移误差包括平移误差与倾斜误差 ,使同一幅干涉图诸像素点的相移量并不相等 ,但仍然在同一平面上。据此 ,本文提出了消除相移器位移误差与倾斜误差的最小二乘迭代算法。通过对相移平面的最小二乘拟合 ,即可以消除相移器平移误差与倾斜误差对位相分布求解结果的影响。并通过数值模拟 。

频域OCT的光学相移器的标定

提出了一种对频域光学相干层析(OCT)系统中压电陶瓷相移器进行标定的方法。该标定法是在用干涉条纹跟踪法初步标定的基础上,用差分光谱法进行精确标定来实现的,可将标定精度提高约6%。在差分频域OCT系统中进行了实验验证,表明该方法能够将频域OCT图像的信噪比提高约10%。

基于主元分析的干涉仪相移器校准方法

利用主元分析从一组干涉图中提取相位和相移量,得到相移量与驱动电压之间的对应关系,从而实现压电陶瓷相移器的非线性校准.模拟结果表明:主元分析法计算相移量的误差随着干涉图中条纹根数的增多而减小;当干涉图中条纹根数多于0.25时,相移量计算误差小于0.1664rad.实验结果表明:相移量计算误差是周期分布,对相移器校准准确度影响小.该方法无需迭代计算,且对干涉图中条纹根数没有严格要求,因此是一种高效且实用的校准方法.

EAST离子回旋系统液态相移器的理论设计

对EAST离子回旋系统液态相移器的原理进行了理论分析和计算,结果表明:利用液态相移器可产生相位差,从而可用离子回旋波进行电流驱动。另外,液态相移器也可与单支节液态调配器结合使用,构成传输线阻抗匹配系统。

基于复合左右手传输线相移器的串馈相控阵天线

基于电调复合左右手传输线相移器,提出了一种新型相控阵天线波束控制方式:通过电压控制相移器的相移,从而使相控阵天线中心频率工作在边射方向,并允许向边射外的两个方向进行扫描。作为实例,设计制造了一个应用在ISM波段的平面串联馈电贴片相控阵天线,并对其进行了测试。结果表明:该相控阵天线可实现连续扫描,边射方向波束倾斜小(2°/100MHz),并具有体积小(236.0mm×65.8mm)、制作简单、易于集成等优点。

内建自测试相移器设计算法的优化

在原相移器设计算法的基础上,通过增加一个伪随机数生成函数来选择异或节点的相移器设计算法。实验结果表明,此算法不仅克服了原算法设计的相移器造成LFSR扇出过大的缺点,而且提高了伪随机测试故障的覆盖率。

用快速傅立叶变换法标定相移干涉仪中的相移器

相移干涉测量是一种光学精密检测方法．相移器作为其中关键部件，它的性能直接影响计量精度．文中介绍了一种用于相移器标定的方法．该方法采用对连续采集的相移干涉图光强分布函数进行快速傅立叶变换，得到相邻两次位移差，即相移大小，以此来决定压电陶瓷的移动量．此方法标定精度（０．００５μｍ）满足了相移干涉测量的要求，操作简单、计算速度快，且易于实现实时标定处理．

低压压电陶瓷相移器及其在电子散斑干涉计量中的应用

介绍了一种新型低压压电陶瓷相移器及其驱动电路的原理、结构和标定方法，并简述了它在电子散斑干涉计量（ＥＳＰＩ）中的应用。

一种D/A板输出控制的相移器设计

相移器对光学测量具有非常重要的意义。本文采用一般的压电陶瓷柱和自行设计制作的 40～ 30 0V直流可调电源制作了经济型相移器 ,并由计算机通过D/A转换板输出电压进行控制 ,做到了压电陶瓷非线性补偿和CCD采集图像的一体控制。经过标定 ,在压电陶瓷达到稳定时 ,其微位移量可达几个纳米 ,重复性很好。

设计数字相移器的一种新方法

在声纳或雷达波束形成、多通道信号传输的相位校正、数字通讯中的调制解调器设计等场合,都需要获得窄带恒定相移.本文给出了数字相移器设计的一种新方法,其原理以自适应建模为基础.这种方法可以方便地在信号处理机中实现.还给出了几个设计实例.

基于MZI光开关上应力相移器的制备与性能研究

针对主流热光开关、静电光开关等功耗大、响应速率较慢等问题,设计出了一种以锆钛酸铅(PZT)薄膜为核心的以应力相移器驱动的MZI光开关。采用了溶胶凝胶法,在氮化硅光子芯片上制备PZT薄膜,完成应力相移器加工。为了避免PZT薄膜在高温结晶过程中所产生的应力导致MZI光开关出入光口龟裂,利用剥离-腐蚀工艺构建钛金属保护层,成功保证了MZI光开关出入光口的完整性。PZT薄膜作为应力相移器中的驱动结构,对PZT薄膜进行漏电流测试和铁电性能测试,实验证明PZT薄膜的加载电压达到25 V时还未击穿,这说明PZT薄膜具有优良的绝缘性;电滞回线较为饱和,说明PZT薄膜具备良好的铁电性。可以在光子芯片上制备出的PZT薄膜具有良好压电及铁电性能,且能够满足光子芯片需求。