用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模技术

用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模(PSM)技术主要有无铬相移掩模(CPM),交替相移掩模(APSM)、衰减相移掩模(AttPSM)和混合相移掩模技术。对这些掩模的基本原理、制作方法及性能比较进行了分析研究。研究表明,无铬相位光刻(CPL)PSM和高透AttPSM 相结合构成的混合掩模最适合用于193nmArF光刻,以产生100nm节点抗蚀剂图形。

衰减相移掩模光刻技术研究

论述了衰减相移掩模光刻技术的原理和曝光实验研究，给出了光刻曝光实验部分结果。

交替型暗域相移掩模的并行算法

设计并实现了一种暗域相移掩模(PSM)问题的并行算法。首先根据"分而治之"的原则,将输入版图划分为若干尺寸较小的、易于解决的子版图;然后分配每个子版图给不同的进程,各个进程同时独立地消除子版图的相位冲突;最后将所有的子版图重新组合,生成没有相位冲突的相移掩模版图。实验结果表明,采用4进程的并行PSM算法,可以减少近64.3%的计算时间,获得2.8的加速比。算法还可以有效地减少冲突图中冲突的数目和边的数目。

相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术

详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法。

0.35μm相移掩模模拟计算及软件设计

首先通过对０．３５μｍ 接触方孔在不同相移掩模情况下硅片表面空间象光强分布的模拟计算，得出不同相移掩模情况下的最优相移参数。在几种相移掩模中，衰减型对提高边缘斜率最为明显，因此我们决定采用衰减型相移掩模。最后编制了相应的实用化软件，该软件能够自动生成各种相移掩模并能够模拟计算不同照明参数、不同掩模、不同数值孔径、不同离焦情况下的空间象分布。

微光刻相移掩模技术研究

本文系统地论述了提高光刻分辨率的相移掩模技术的基本原理、计算模拟和光刻曝光实验 ;给出了模拟和实验结果 ;研究表明 ,只有在一定的临界参数条件下 ,相移掩模才能明显地改善分辨率和工艺宽容度 ;采用无铬相移掩模得到了 0 .2 μm的清晰抗蚀剂图形 ,证明了相移掩模在提高光刻分辨率。

制作光纤光栅的相移掩模-双光束干涉曝光方法

介绍将无铬相移掩模技术和双光束干涉曝光技术用于制作纳米级图形光纤光栅的基本原 理和实验系统设计。提出一种用可移动反射镜使写入光束扫描固定在一起的相移掩模和光纤组合体制作光纤光栅的方法,既便于系统调整,增强曝光能量,又可方便制作高分辨力、长尺寸光纤光栅,无论是周期光栅,还是非周期光栅。

具有交替型相移掩模技术的CAD系统

随着超大规模集成电路制造进入深亚微米时代,版图上相邻特征区域的光刻质量受光学临近效应的影响越来越大。交替型相移掩模技术通过将相邻区域的相位进行180°反转,使干涉效应互相抵消,从而被认为是提高光刻分辨率最实用的技术之一。我们以当今的最新研究成果为基础,开发了一个用于暗域交替型相移掩模设计技术的CAD原型系统。为应对随版图尺寸呈指数增加的相位冲突,还提出了一个自适应粒度的划分方法,以减少计算时间。该算法和原型系统的有效性在多个不同尺寸的实际版图上得到了成功的验证。

相移掩模方法及其一维数值模拟

相移掩模方法是一种新的光刻技术，它可以提高现有光刻设备的分辨率，使超大规模集成电路及二元光学的制作迈上一个新台阶。本文介绍了相移掩模方法的基本原理，用部分相干光成象理论分析了用于光刻的投影照相系统的成象特性，导出了一维成象的简化公式，对一维光栅结构进行了计算机数值模拟并给出了模拟结果。

用相移掩模光刻技术制作大相对孔径二元透镜的研究

简述相移掩模的基本原理，提出了用相移掩模光刻技术制作大相对孔径的二元透镜的设想。通过数值模拟对相移掩模光刻技术做了探讨，给出了适合国内ｇ－线光刻机的相移掩模的设计参数。

一种用于暗域交替式相移掩模设计的自适应版图划分方法(英文)

提出了一种新的用于加速 1 30 nm以下工艺交替式相移掩模设计流程的版图划分方法 ,该方法能够自适应调整版图划分的粒度 .讨论了消除相位冲突的方法和版图压缩中相位兼容性保持的策略 .利用上述算法实现的 CAD原型系统经多个工业界例子的测试表明能够有效地适应随版图尺寸而快速增长的相位冲突复杂性 ,同时提供较好的 PSM设计质量 。

相移掩模对曝光图形空间像光强分布影响的计算机模拟

本文讨论了提高曝光分辨率的一种主要方法：相移掩模方法。分析了相移掩模提高分辨率的原理，提出了相移掩模成像的模拟思想，推导了数学公式，并实现了计算机模拟，给出了一些初步结果。

边缘相移掩模技术

论述了边缘相移掩模的原理、制作方法和工艺步骤，并给出了一些实验结果。

先进相移掩模(PSM)工艺技术

先进相移掩模(PSM)制造是极大规模集成电路生产中的关键工艺之一,当设计尺寸(CD)为0.18μm时,就必须在掩模关键层采用OPC(光学邻近校正)和PSM(相移技术),一般二元掩模由于图形边缘散射会降低整体的对比度,无法得到所需要的图形。通过相位移掩模(PSM)技术可以显著改善图形的对比度,提高图形分辨率。相移掩模是在一般二元掩模中增加了一层相移材料,通过数据处理、电子束曝光、制作二次曝光对准用的可识别标记、二次曝光、显影、刻蚀,并对相移、缺陷等进行分析和检测,确保能达到设计要求。

相移掩模的制作

本文阐述相移掩模（PSM）技术研究中，常用的几种主要相移掩模制作方法，重点介绍了无铬PSM、Levenson交替型PSM、边缘PSM、亚分辨辅助PSM以及激光直写制作PSM的方法。

一种简单的衰减相移掩模

:本文介绍了一种与传统Cr掩模制作工艺相兼容的单层衰减相移掩模的结构、原理和制作方法 ,提供了部分实验结果。

用光致抗蚀剂膜层制作衰减相移掩模

提出一种用光致抗蚀剂膜层制作单层结构衰减相移掩模的新方法 ,介绍这种方法的原理和制作工艺 ,并给出这种方法制作的衰减相移掩模用于准分子激光光刻实验 ,得到显著提高光刻分辨力的实验结果。

激光光刻与相移掩模

本文评述了激光光刻可能采取的方式及其待解决的问题,并对相移掩模技术作了概要的介绍。

部分相干因子σ及其在相移掩模（PSM）模拟软件中的应用

从Ｈｏｐｋｉｎｓ公式出发，分析部分相干因子σ的物理意义。

用于KrF准分子激光光刻的衰减相移掩模

讨论了相移掩模提高光刻分辨力的基本原理 ,提出了一种抗蚀剂相移器制作衰减相移掩模的新方法 ,利用自行设计、建立的 Kr F准分子激光投影光刻实验曝光系统进行了实验研究 ,给出了实验结果 ,并与传统光刻方法作了比较。