用MOSFET探测器进行乳腺癌放疗剂量的实时检测

目的研究用金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）探测器测量接受高能x射线半束照射的乳腺癌患者的照射剂量。方法采用MOSFET探测器首先在人体模型上测量，研究在6MVX射线半束照射中相邻半野剂量的分布情况和加速器相关因子的影响，然后实时测量10例乳腺癌患者腋锁野与胸壁切线野6MVX射线半束照射时匹配线上、腋锁野内和胸壁切线野内皮肤的实际吸收剂量。结果人体模型的剂量测定显示6MVX射线照射两相邻半野匹配线上剂量与给定剂量差异极小（均3％内），照射野内剂量差异也较小（均1．5％内）。准直器角度在270°和90°时匹配线剂量值与准直器角度在0°时匹配线剂量值不同。患者的剂量测量显示胸壁皮肤实际测量剂量与计划剂量偏差最大达-30．39％，最小也达-18．85％，平均偏差为-24．76％；保乳术患者胸壁实际受照剂量与计划剂量偏差较根治术患者大，两者相比不同（t=2．40，P〈0．05）；腋锁野皮肤剂量最大和最小剂量差值为6．04cGy，保乳术患者腋锁野剂量与根治术患者相比相似（t=1．30，P〉0．05）。在不同分次照射中两相邻野交界处的单次剂量测定有显著地变化，但在15个分次照射中穿过交界处的平均剂量数值较稳定。结论MOSFET探测器适用于乳腺癌放疗中相邻野交界处剂量测定；乳腺癌患者放疗中有必要进行全程剂量监测，随时调整剂量、纠正误差以提高靶区吸收剂量准确性。