UHV/CVD生长锗硅材料的偏析现象

本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1 -xGex 合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究。通过XPS和SIMS图谱的研究 ,指出表面由于锗的偏析 ,造成锗在体内和表面的含量不同 ,在低温时生长锗硅合金 ,表面氢原子的吸附可有效地抑制锗的偏析 ,但随着温度的升高 。

Parylene C薄膜微波电路的应用可行性研究

针对三防材料在微波电路中多余物防控方面的可行性、可靠性问题,提出在产品表面用真空化学气相沉积法镀Parylene C薄膜,结果表明该膜层可有效控制直径d小于1 mm的可动多余物,提高微波产品PIND(颗粒碰撞粒子检测)测试的合格率。同时与焊接、胶粘、互联、清洗等配装工艺有良好的适配性,且满足可靠性要求。该薄膜较高的绝缘强度,对微波电路有优异的绝缘防护作用。说明Parylene C薄膜材料在微波产品中具有应用可行性和潜在价值。