SiC薄膜的场致发射实验研究

利用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）设备，在单晶Ｓｉ片上淀积出了一层ＳｉＣ薄膜．这种ＳｉＣ薄膜可以用作场致发射的阴极，该文报道了其场致发射的Ｉ～Ｖ特性测试结果．结果表明，该薄膜的场致发射具有Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ的指数形式，而其发射场强的阈值约为１Ｖ／μｍ．在测试出的Ｉ～Ｖ特性曲线上，发现了共振隧穿特征．