HL-1M 装置的真空进展

总结了１９９４ 至１９９８ 年度ＨＬ－１Ｍ 装置的真空进展，包括真空壁条件、真空运行参数、放电进展。

HL-1M装置真空室硅化的研究

GDC(He +SiH4 )是为HL 1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体条件下 ,通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子 分子反应和在壁面上的He+ 诱导脱H2 过程 ,在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅 (α Si∶H)薄膜。氢化硅具有良好的H(D)捕获、H2 (D2 )释放 ,能显著地降低再循环系数 ,有效地控制杂质水平 ,大大拓宽了HL 1M装置的运行范围 ,为HL 1M装置的LHCD、ICRH、ECRH、NBI、PI和MBI实验提供了良好的真空壁条件。

HL-1M装置的真空运行与质谱诊断

通过对真空运行模式、真空运行参数、辉光放电清洗和硅化壁处理手段的规范化,显著地降低了HL 1M装置的真空壁出气、本底杂质浓度、放电杂质出气比和再循环,成功地实现了高参数放电、长脉冲放电和装置暴露大气后快速恢复放电,并为验证低混杂电流驱动、离子回旋共振加热、电子回旋共振加热、中性束注入、弹丸注入和分子束注入实验及升级等离子体运行提供了良好的壁条件。描述了HL 1M装置真空系统、壁出气和再循环、质谱诊断和程序脉冲送气等方面的主要实验成果,这些结果为HL 2A装置的真空系统研制和运行提供有益的参考。

HL-1M装置的真空运行与质谱诊断

通过对 HL- 1M装置真空运行模式、真空运行参数、氦辉光放电清洗和硅化壁处理手段等的规范化 ,显著地改善了装置的真空壁出气、本底杂质浓度、托卡马克放电杂质出气比和再循环 ,成功地实现了高参数放电、长脉冲放电和装置暴露大气后快速恢复放电 ,并成功地为演证低混杂电流驱动、离子回旋共振加热、电子回旋共振加热、中性束注入、弹丸注入和分子束注入实验和升级等离子体运行等提供了良好的真空壁条件。描述了 HL- 1M装置真空系统、壁出气和再循环控制、质谱诊断和程序脉冲送气等方面的主要实验成果 ,并为 HL- 2

HL—1M装置硼化,硅化和锂化壁的出气特性

借助ＱＭＳ诊断技术，完成了ＨＬ－１Ｍ装置Ｂ化，Ｓｉ化与Ｌｉ化壁的出气特性的对比实验研究。ＧＤＣ期间，Ｈ２出气占支配地位，杂质分压与Ｈ２分压成正比，ＧＤＣ后的本底放气率较同时间烘烤去气后低；ＧＤＣ（Ｈｅ＋Ｈ２）是去除膜的有效方法；Ｂ化、Ｓｉ化和Ｌｉ化壁相比，托卡马了放电后的Ｈ２出量绋１：０．１３：０．２１。其中Ｂ化壁Ｈ２出气量主于ｓｓ壁，Ｓｉ化和Ｌｉ化壁则低于ｓｓ壁，出Ｈ２量／送Ｈ２量，ｓｓ壁为０．

HL—1M装置的真空现状

本文主要总结了９４至９８年度ＨＬ－１Ｍ装置的真空进展，包括真空壁条件；真空运行参数；放电进展；影响壁条件的主要因素及其控制指标等。