过滤管道磁场在改进真空弧沉积系统中的作用

在 90°磁过滤管道和MEVVA源阴极之间加 30～ 60V的正偏压可使磁过滤管道起到阴极弧放电第二阳极的作用。在此情况下 ,就磁过滤管道磁场对MEVVA源阳极 阴极和磁过滤管道 阴极两个回路弧放电和磁过滤管道等离子体传输效率的影响进行了实验研究。研究结果表明 :随磁过滤磁场升高 ,磁过滤管道和阴极之间的弧放电规模降低 ,系统的等离子体传输效率升高 。

磁过滤真空弧等离子体钛沉积膜改善H13钢腐蚀机理的研究

利用磁过滤真空弧等离子体沉积成膜系统 ,在H13钢基体上沉积一层 36 0nm的钛膜。透射电镜 (TEM)分析结果表明 ,沉积膜膜层的微观结构呈晶须状。在 pH =5.6的NaAc/HAc缓冲液中阳极极化扫描曲线测量表明 ,沉积膜样品的腐蚀电流密度峰值较H13钢降低 1— 2个数量级 ,抗腐蚀性能大幅度提高 ,离子注入进一步降低了沉积膜样品的峰值腐蚀电流密度 ,提高了沉积膜样品的抗腐蚀性。SEM对腐蚀样品的表面形貌进行了分析 ,并对沉积膜样品的抗腐蚀机理进行了研究。

纳米弹性复合DLC薄膜的制备及其摩擦性能研究

利用磁过滤阴极真空弧沉积系统在硅片及以硅片为基底的2种弹性体材料表面沉积厚度为2．7nm的DLC膜，采用原子力显微镜和拉曼光谱仪对薄膜的形貌及成分进行分析，用纳米力学测试系统测量薄膜的弹性模量和硬度，用UMT-2型多功能微摩擦磨损试验机考察其摩擦性能．结果表明，以γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷（187）为偶联剂的薄膜试样表面比以γ-氨丙基三乙氧基硅烷（APS）为偶联剂的薄膜试样表面更致密且粗糙度更低，薄膜的最上层为DLC膜．在硅表面沉积DLC薄膜可以显著降低其表面的摩擦系数（0．117～0．137），在低载荷条件下，含偶联剂及弹性体的DLC薄膜的摩擦系数低于硅表面沉积DLC的薄膜，且以187为偶联剂的薄膜试样的摩擦性能更佳；在高载荷条件下，硅表面沉积DLC的薄膜具有更优异的摩擦性能．