沉积温度对脉冲真空弧源沉积类金刚石薄膜性能的影响

利用脉冲真空弧源沉积技术在Cr17Ni14Cu4不锈钢和Si(100)基体上制备了类金刚石(DLC)薄膜,研究了基体沉积温度对DLC薄膜的性能和结构的影响。研究表明,随着沉积温度由100℃提高到400℃,DLC薄膜中sp3键质量分数减少,sp2键质量分数增多,薄膜复合硬度逐渐降低。当DLC薄膜沉积温度达到400℃时,薄膜中C原子主要以sp2键形式存在,与沉积温度为100℃时制备的DLC薄膜相比,薄膜复合硬度降低50％。 DLC薄膜具有优异的耐磨性,摩擦因数低,随着沉积温度由100℃提高到400℃,Cr17Ni14Cu4不锈钢表面沉积的DLC薄膜耐磨性降低。沉积温度为100℃时,Cr17Ni14Cu4不锈钢表面沉积的DLC薄膜后,耐磨性大幅度提高。DLC薄膜与不锈钢基体结合牢固。

真空弧源沉积类金刚石薄膜及其性能研究

采用真空孤源沉积技术在钛舍金及Si(100)表面合成DlLC薄膜,通入不同的氩气,控制DLC薄膜中的SP3/SP2比值。研究表明,薄膜硬度可达96GPa,随着氩气流量的增加,薄膜的硬度先增加,后有明显降低。随着氩气流量的增加,类金刚石薄膜中,SP2键增加,SP3键减少,而血液相容性明显提高。DLC薄膜具有优异的耐磨性,摩擦系数低,与钛合金基体结合牢固。

直流金属真空弧源沉积Ti-O薄膜在模拟人体液中的耐腐蚀性能研究

采用直流金属真空弧源沉积(DC-MVAD)在316L不锈钢基体上沉积合成了Ti-O系薄膜.在Hank's模拟人体液中,对DC-MVAD合成钛氧薄膜进行了开路电位、电化学极化以及电化学阻抗图谱分析,显示合成薄膜可明显改善在人体环境中的耐腐蚀性能.随着合成氧分压的增加,薄膜的耐蚀能力增强.这主要是由于高O/Ti比的钛氧薄膜具有更为稳定的能量状态、低的孔隙率所致.

类金刚石薄膜在不锈钢表面结合强度及耐腐蚀性研究

类金刚石(DLC)薄膜与不锈钢的结合强度是DLC薄膜应用于血管支架表面改性的关键技术问题。利用磁过滤阴极真空弧源沉积方法在316L不锈钢表面沉积DLC薄膜,研究沉积时基体偏压、薄膜厚度以及钛过渡层对DLC薄膜与基体结合强度的影响。研究结果表明,316L表面制备相同厚度的DLC薄膜,采用-1000V脉冲偏压制备的薄膜结合强度明显优于-80V直流偏压下制备的DLC薄膜;随着DLC薄膜厚度的增大,DLC薄膜与316L基体的结合力下降;316L不锈钢表面制备一层100nm的钛过渡层之后可以改善DLC薄膜的结合状况,并且经过20%的拉伸变形后,DLC薄膜完整,耐蚀性优于未表面处理的316L不锈钢。以上研究结果表明,磁过滤阴极真空弧源方法制备DLC薄膜与316L结合强度高,可以有效的提高316L的耐腐蚀性,是一种具有应用前景的血管支架表面改性方法。

0913 真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺

0118519离子束薄膜合成及其应用[刊]/柳襄怀//功能材料与器件学报.—2001,17(2).—113～115(E)报道了中国科学院离子束开放研究实验室在离子束薄膜合成研究和应用方面的发展和现状。着重介绍离子束辅助沉积薄膜合成、真空磁过滤弧源沉积薄膜生长,以及离子注入 SOI 材料合成的方法及其物理过程,同时也对离子束合成薄膜在工业及国防上的应用进行了探讨。

离子束薄膜合成及其应用

报道了中国科学院离子束开放研究实验室在离子束薄膜合成研究和应用方面的发展和现状。着重介绍离子束辅助沉积薄膜合成、真空磁过滤弧源沉积薄膜生长，以及离子注入 SOI材料合成的方法及其物理过程 ,同时也对离子束合成薄膜在工业及国防上的应用进行了探讨。

电绝缘用ta-C薄膜的微观结构与电学特性

采用ta-C薄膜用于SOI结构中的绝缘层,在高温高功率器件中有很大的应用潜力。应用真空磁过滤弧源沉积(FAD)的方法制备了ta-C薄膜。通过AFM、non-RBS、IR、I-V、C-V等方法对薄膜的表面形貌、微观结构和电学性能进行了研究。研究表明,ta-C薄膜的sp^3键含量高达87％,且具有很高的表面光洁度(粗糙度低于0.5nm)及较好的电绝缘性能,击穿场强达到4.7MV/cm。