采用高速摄影和光谱诊断的方法研究了真空弧离子源脉冲工作瞬间的放电行为。拍摄了离子源放电瞬间吸氢电极上阴极斑的形成过程,分析了不同放电电流时阴极斑的发射光谱。实验结果表明,当脉冲工作电流为 101—102 A 时,真空弧离子源放电...采用高速摄影和光谱诊断的方法研究了真空弧离子源脉冲工作瞬间的放电行为。拍摄了离子源放电瞬间吸氢电极上阴极斑的形成过程,分析了不同放电电流时阴极斑的发射光谱。实验结果表明,当脉冲工作电流为 101—102 A 时,真空弧离子源放电区一般只有单个阴极斑,阴极斑的位置在同一次放电中的变化很小;较大的脉冲工作电流有利于提高阴极斑的温度,并最终导致氢离子浓度的增加,但也会使阴极材料的溅射更加严重,造成离子源等离子体品质下降。展开更多
利用金属蒸发真空弧(MEVVA)离子源引出的 Er 离子对单晶硅和单晶硅衬底上的 SiO2 膜进行了离子注入,用背散射方法分析了不同注入条件下 Er 原子浓度分布。实验结果表明,离子注入突破了平衡生长方法掺Er 硅溶解度的限制,实现了离子的高...利用金属蒸发真空弧(MEVVA)离子源引出的 Er 离子对单晶硅和单晶硅衬底上的 SiO2 膜进行了离子注入,用背散射方法分析了不同注入条件下 Er 原子浓度分布。实验结果表明,离子注入突破了平衡生长方法掺Er 硅溶解度的限制,实现了离子的高浓度掺杂。在硅和氧化硅中,最大 Er 体浓度分别达到 4.71×1021 cm–3 和7.67 ×1021 cm–3,远超过了常规方法所能得到的 Er 掺杂浓度。但是由于 Er 离子重,射程短而溅射效应强,因此限制了 Er 原子浓度的进一步提高。在注量相同时,随束流密度的增加,Er 外扩散效应增加。用快速退火热处理可消除部分辐射损伤,但是退火也引起了 Er 原子的外扩散。本文中给出了溅射和外扩散引起的 Er 原子丢失量与注入条件和退火条件的关系,给出了获得高浓度 Er 的途径。Er 注入单晶硅和热氧化硅,随注量的增加 Er 保留量逐渐达到饱和,饱和量接近 2×1017 cm–2,而丢失量增加。展开更多
文摘采用高速摄影和光谱诊断的方法研究了真空弧离子源脉冲工作瞬间的放电行为。拍摄了离子源放电瞬间吸氢电极上阴极斑的形成过程,分析了不同放电电流时阴极斑的发射光谱。实验结果表明,当脉冲工作电流为 101—102 A 时,真空弧离子源放电区一般只有单个阴极斑,阴极斑的位置在同一次放电中的变化很小;较大的脉冲工作电流有利于提高阴极斑的温度,并最终导致氢离子浓度的增加,但也会使阴极材料的溅射更加严重,造成离子源等离子体品质下降。
文摘利用金属蒸发真空弧(MEVVA)离子源引出的 Er 离子对单晶硅和单晶硅衬底上的 SiO2 膜进行了离子注入,用背散射方法分析了不同注入条件下 Er 原子浓度分布。实验结果表明,离子注入突破了平衡生长方法掺Er 硅溶解度的限制,实现了离子的高浓度掺杂。在硅和氧化硅中,最大 Er 体浓度分别达到 4.71×1021 cm–3 和7.67 ×1021 cm–3,远超过了常规方法所能得到的 Er 掺杂浓度。但是由于 Er 离子重,射程短而溅射效应强,因此限制了 Er 原子浓度的进一步提高。在注量相同时,随束流密度的增加,Er 外扩散效应增加。用快速退火热处理可消除部分辐射损伤,但是退火也引起了 Er 原子的外扩散。本文中给出了溅射和外扩散引起的 Er 原子丢失量与注入条件和退火条件的关系,给出了获得高浓度 Er 的途径。Er 注入单晶硅和热氧化硅,随注量的增加 Er 保留量逐渐达到饱和,饱和量接近 2×1017 cm–2,而丢失量增加。
