用真空蒸发沉积法制取超细铝、镁粉的研究

在真空条件下将铝、镁加热熔化，蒸发，然后冷却制成超细铝、镁粉。适当的控制其中的某些工艺参数就能改变铝、镁粉的性能，从而制取不同性能的超细铝粉和镁粉。

喷嘴结构对真空喷射雾化性能影响研究

基于Fluent软件模拟了柱型、扇型、锥型和混合型喷嘴真空喷射射流雾化过程,研究了喷嘴结构对动压力转换、射流速度和喷嘴出口湍动能的影响。结果表明,锥型喷嘴动压力较大,可提高静压能转换效率;扇型和锥型喷嘴喷射束宽度较大,利于大面积喷射成膜;扇型喷嘴易形成空化,出口湍动能较大,有助于液滴初次雾化破碎,而混合型喷嘴的空化层厚度最小,湍流区域最大。通过分析雾化锥角与喷嘴流量系数,发现扇形和锥直形喷嘴具有较大雾化锥角,但流量系数较小喷嘴压力损失较大;喷嘴直线段会提高锥型喷嘴雾化锥角和喷嘴出口湍动能,并使扇型喷嘴的流量系数增大,但射流雾化锥角减小。最后,本文尝试构建了真空喷射射流雾化数学模型。

a-Se薄膜在X-ray照射下的光衰特性研究

依据光电导与弛豫时间成反比变化的理论 ,在蒸发温度为 2 2 0℃的条件下用真空沉积法制备了多块厚度不同的a Se薄膜 ,对其在X ray照射下的光衰效应进行实验研究 .实验结果表明a Se薄膜在厚度较小时其灵敏度随厚度的增加而增加 ,在 2 75～ 4 5 7μm之间时 ,a Se灵敏度存在极大值 .实验结果对基于a Se薄膜光电导特性的探测器的性能优化有一定的指导作用 .

UHV/CVD生长锗硅材料的偏析现象

本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1 -xGex 合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究。通过XPS和SIMS图谱的研究 ,指出表面由于锗的偏析 ,造成锗在体内和表面的含量不同 ,在低温时生长锗硅合金 ,表面氢原子的吸附可有效地抑制锗的偏析 ,但随着温度的升高 。

非晶CS/RB纳米薄膜的荧光性质

采用低真空物理气相沉积法制备单组份氰基对称二苯代乙烯(CS)纳米薄膜和罗丹明B(RB)纳米薄膜以及CS/RB叠层纳米薄膜。使用荧光分光光度计、X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征薄膜样品的荧光性质、结构和表面形貌。与粉末晶态样品相比,薄膜样品的荧光发射峰数量变多,发射波长范围拓宽到120 nm。有机小分子的非晶聚集态和纳米叠层结构的的纳米效应导致了样品的荧光性质的变化。

Parylene C薄膜微波电路的应用可行性研究

针对三防材料在微波电路中多余物防控方面的可行性、可靠性问题,提出在产品表面用真空化学气相沉积法镀Parylene C薄膜,结果表明该膜层可有效控制直径d小于1 mm的可动多余物,提高微波产品PIND(颗粒碰撞粒子检测)测试的合格率。同时与焊接、胶粘、互联、清洗等配装工艺有良好的适配性,且满足可靠性要求。该薄膜较高的绝缘强度,对微波电路有优异的绝缘防护作用。说明Parylene C薄膜材料在微波产品中具有应用可行性和潜在价值。

固体薄膜技术

引言在金属、半导体、陶瓷、塑料等固体表面上,生长一层薄膜,使它具有与基体材料不同的物理及化学特性,以适应使用上的特殊要求,这就是固体薄膜技术。它是固体表而技术中的一个重要组成部分。这种技术在电子工业、光学和光通讯工业,能源开发和机械工业中,都已广泛应用。所谓薄膜,仅是相对而言,光学元件上的薄膜厚度一般存光的波长范同以内,而工程材料中所指的薄膜,厚度在几微米至几十微米的范围。