O484.1 96021243 C—SiC薄膜抗辐照性能的研究=Study on the irradiationbenaviour of C-SiC films[刊,中]/张海龙,夏兴源,汪德志,黄宁康(四川大学原子核科学技术研究所。四川,成都(610064))∥四川大学学报。自然科学版。—1995,32(4)。...O484.1 96021243 C—SiC薄膜抗辐照性能的研究=Study on the irradiationbenaviour of C-SiC films[刊,中]/张海龙,夏兴源,汪德志,黄宁康(四川大学原子核科学技术研究所。四川,成都(610064))∥四川大学学报。自然科学版。—1995,32(4)。—401—405 在室温下分别采用射频磁控溅射和离子束辅助沉积技术沉积C—SiC薄膜。展开更多
文摘O484.1 96021243 C—SiC薄膜抗辐照性能的研究=Study on the irradiationbenaviour of C-SiC films[刊,中]/张海龙,夏兴源,汪德志,黄宁康(四川大学原子核科学技术研究所。四川,成都(610064))∥四川大学学报。自然科学版。—1995,32(4)。—401—405 在室温下分别采用射频磁控溅射和离子束辅助沉积技术沉积C—SiC薄膜。