深冷处理对CuCr真空触头材料组织及性能的影响

研究了 ＣｕＣｒ真空触头材料在一定的深冷处理条件下，其组织发生的微结构变化。深冷处理引起的Ｃｕ相中的过饱和Ｃｒ弥散析出，使得微观组织分布更加均匀，Ｃｕ相的导电、导热能力进一步改善。同时Ｃｒ相发生明显细化。深冷处理使ＣｕＣｒ真空触头材料的耐电压强度及耐电弧侵蚀得到了一定的提高。

用热等静压制取铜铬系真空触头材料

介绍了用热等静压方法制备全致密铜铬、铜铬铁真空触头材料的工艺和经验，对国内三种主要生产钢铬真空触头的方法进行了分析和对比。实验数据表明，用热等静压生产的铜铬铁真空触头在密度、耐压、截流值等方面具有明显地点，开断能力与CuCr50相当。

CuCr真空触头材料电特性的改善

对深冷处理引起的铜铬真空触头材料的组织变化进行了研究。深冷处理使铜铬触头材料组织细化，尤其是合金材料中铬相细化明显。细晶的合金组织有助于改善铜铬触头材料的电性能。

CuCr、CuCrFe真空触头材料

对采用混粉烧结、热等静压致密化工艺制取的CuCr、CuCrFe真空触头材料的电气性能进行了试验研究,探讨了CuCrFe合金的性能随Fe含量的变化情况。

日本近期对低过电压大开断电流真空触头材料的研究与开发

评述了日本近期对开发低过电压、大开断电流真空触头材料所做的工作。

利用微放电现象预测真空触头材料的耐电压性能

介绍利用微放电现象预测真空触头材料的耐电压性能的技术。在阐明真空间隙击穿和微放电机理的基础上,引用国外最近的研究结果对预测的可能性给于证明,最后对它的应用问题作了讨论。

高压开关的发展和“十五”规划设想及对真空触头材料、绝缘材料的需求

本文着重分析了 2 0 0 0年高压开关行业生产发展的基本情况 ,提出了“十五”规划设想 ,并对今后十年内高压开关主要产品的发展及对所使用的真空触头材料。

真空触头成分及超微结构对其耐电压强度的影响

以普遍使用的Ｃｕ－Ｃｒ合金为基础，分析了影响真空触头材料耐电压强度的因素．通过分析真空触头材料击穿前后的成分与组织的变化，发现触头合金的成分和微观组织结构与其耐电压强度有着密切的关系．材料表面固溶体的形成有利于耐电压强度的提高；材料表面成分的均匀化也可以使材料具有更好的耐电压性能．

真空间隙击穿机理的分析

论述了真空间隙击穿的三种机理（微放电、微粒迁移和场致电子发射）。通过定量的击穿机理分析表明,真空触头间隙击穿的主要原因是:微粒迁移和场致发射引起的阳极蒸发。

Cu-Cr合金在H_2-H_2S混合气中的腐蚀行为

研究了Cu Cr合金及纯铜、纯铬在 5 0 0～ 60 0℃ ,硫分压为 10 -5Pa时的硫化腐蚀。两种Cu Cr合金的腐蚀速度均介于两种纯金属之间 ,并随温度的升高而增大 ,但在两种Cu Cr合金的表面均形成了复杂的腐蚀产物膜 ,外层为Cu2 S层 ,有时不连续甚至剥落 ,中间层为二元Cu Cr硫化物CuCrS2 ,内层为二元Cu Cr硫化物Cu Cr2 S4和CrS的混合物 ,有时也包含未被腐蚀的金属铬颗粒。在腐蚀区以下的合金基体中没有铬的贫化现象发生。