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基于真空铝预沉积工艺的高压晶闸管性能优化
被引量:
1
1
作者
银登杰
贺振卿
+1 位作者
李勇
焦莎莎
《大功率变流技术》
2017年第6期38-41,47,共5页
在高压晶闸管器件的硅片参数设计时,制造过程中不同扩散工艺形成PN结的平坦性是重点考虑的因素之一。为了获得更优良的高压快速晶闸管器件动静态特性,文章从制造工艺入手,首先探讨了真空铝预沉积和闭管铝扩散工艺形成PN结的平坦性差异,...
在高压晶闸管器件的硅片参数设计时,制造过程中不同扩散工艺形成PN结的平坦性是重点考虑的因素之一。为了获得更优良的高压快速晶闸管器件动静态特性,文章从制造工艺入手,首先探讨了真空铝预沉积和闭管铝扩散工艺形成PN结的平坦性差异,然后通过理论计算与Silvaco仿真验证,得出了同一硅片厚度下器件转折电压随结深的变化关系,并基于PN结平坦性的考虑设计了两种工艺条件下的最小化硅片厚度。试验结果表明,采用真空铝预沉积工艺及与之对应的最佳硅片参数所研制的器件性能优化明显。
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关键词
真空铝预沉积
闭管
铝
扩散
PN结
硅片厚度
快速晶闸管
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职称材料
题名
基于真空铝预沉积工艺的高压晶闸管性能优化
被引量:
1
1
作者
银登杰
贺振卿
李勇
焦莎莎
机构
新型功率半导体器件国家重点实验室
株洲中车时代电气股份有限公司
出处
《大功率变流技术》
2017年第6期38-41,47,共5页
文摘
在高压晶闸管器件的硅片参数设计时,制造过程中不同扩散工艺形成PN结的平坦性是重点考虑的因素之一。为了获得更优良的高压快速晶闸管器件动静态特性,文章从制造工艺入手,首先探讨了真空铝预沉积和闭管铝扩散工艺形成PN结的平坦性差异,然后通过理论计算与Silvaco仿真验证,得出了同一硅片厚度下器件转折电压随结深的变化关系,并基于PN结平坦性的考虑设计了两种工艺条件下的最小化硅片厚度。试验结果表明,采用真空铝预沉积工艺及与之对应的最佳硅片参数所研制的器件性能优化明显。
关键词
真空铝预沉积
闭管
铝
扩散
PN结
硅片厚度
快速晶闸管
Keywords
vacuum deposited aluminum diffusion
close-tube aluminum diffusion
PN junction
wafer thickness
fast switchingthyristor
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于真空铝预沉积工艺的高压晶闸管性能优化
银登杰
贺振卿
李勇
焦莎莎
《大功率变流技术》
2017
1
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