金刚石表面真空镀镍的工艺探讨

目的探讨金刚石表面真空镀镍的影响因素及其在电镀金刚石线上应用的可行性。方法采用不同的镍源及EDTA二钠、有机酸、氧化铝,按照不同的配比配制镀液,在720℃、真空度6×10?2 Pa条件下镀覆,保温2.5h,通过粒度分析、快速振动球磨机、能谱分析、三维数字显微镜、磁性测试、镀层快速腐蚀测试等表征手段,探讨不同的工艺对金刚石表面镀层性能的影响。结果镀覆后,金刚石中心粒径D50和峰宽(峰宽D95-D5,中心粒径D50是粒度分布曲线中累积分布为50%时的最大颗粒的等效直径,D5、D95分别是分布曲线中累积分布为5%、95%时的最大颗粒的等效直径)随着氯化镍含量的增加而增大,随着EDTA二钠含量的增加而减小。有机酸对镀覆反应的促进为:柠檬酸>氯乙酸>乳酸。通过真空镀镍获得的镀层表面为镍金属层,具有磁性。金刚石的强度没有受到石墨化的影响而下降,镀层与金刚石之间结合较为牢固,且耐酸液腐蚀性能远好于化学镀镍。以氯化镍为镍源的真空镀镍金刚石,采用埋砂法在电镀金刚石线设备进行上砂测试,在10m/min的走线速度下,0.4mm长度钢线表面的金刚石约60颗,约为化学镀镍金刚石上砂颗粒数的30%。结论通过真空镀覆方式能够在金刚石表面沉积金属镍层,经初步测试,可以在电镀金刚石线中使用。

Ni丝的自电热升华镀膜及其机理研究

讨论了Ni丝自电热升华镀Ni的机理,测定了Φ0.5mmNi丝的升华速率α_V(I′),并讨论了Ni丝镀膜的控制工艺;最后测定了Ni丝的自电热电阻R(I′)和小电流下的变温电阻R(T)。

石英晶体制备工艺对压电免疫传感芯片的影响

目的评估石英晶体制备工艺对压电免疫传感芯片的影响。方法采用多壁碳纳米管-纳米金技术在四种类型的石英晶体(镀镍层金电极、无镍层金电极、镀镍层银电极和无镍层银电极)上固定梅毒螺旋体(Treponema pallidum,TP)基因工程抗原,重复检测抗-TP阳性血清和阴性血清各8次。以压电免疫传感芯片制备过程中的清洗漂移、表面水珠附着、抗原固定量、测试稳定时间、抗原脱落状况、响应值及变异系数(CV)值七项作为测评指标,整体评估石英晶体制备工艺对梅毒压电免疫传感芯片的影响。结果真空镀镍层金电极石英晶体制备的梅毒自组装压电免疫传感芯片各项指标综合评价最佳。结论镀镍层与金属电极是制备压电免疫传感芯片的两项重要指标。