期刊文献+
共找到10篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
TiO_2纳米晶薄膜电极的瞬态光电流特性 被引量:8
1
作者 吕红辉 汤钧 +2 位作者 白玉白 钱新明 董绍俊 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期99-102,共4页
采用 Ti Cl4 水解法制备 Ti O2 纳米微粒 ,并研究这种微粒形成的纳米晶薄膜电极的瞬态光电流特性 .利用能带模型和循环伏安特性讨论 Ti O2 纳米晶薄膜电极光生电荷的产生及转移动力学规律 .
关键词 二氧化钛 纳米晶薄膜 瞬态光电流 光电化学 电极
下载PDF
MOS器件电离辐照瞬态光电流的数值解
2
作者 周亮飞 王义 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期59-61,共3页
利用数值方法求解Poisson方程、连续性方程和俘获空穴产生率方程,模拟了MOS器件电离辐照时的瞬态光电流的非线性特性。
关键词 电离辐照 瞬态光电流 有限差分方法
下载PDF
瞬态光电流对有机薄膜光伏器件中肖特基接触的研究
3
作者 李博 邵剑峰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期422-426,共5页
制备了结构为氧化铟锡(ITO)/有机半导体/金属的有机薄膜光伏器件,电流-电压曲线显示其具有整流特性但有机半导体和电极间肖特基接触的内建电场方向很难判定.为了研究有机半导体和电极的肖特基接触特性,分别制备了结构为ITO/有机绝缘层/... 制备了结构为氧化铟锡(ITO)/有机半导体/金属的有机薄膜光伏器件,电流-电压曲线显示其具有整流特性但有机半导体和电极间肖特基接触的内建电场方向很难判定.为了研究有机半导体和电极的肖特基接触特性,分别制备了结构为ITO/有机绝缘层/有机半导体/金属和ITO/有机半导体/有机绝缘层/金属的器件,通过调制激光照射下器件的瞬态光电流方向可容易判断有机半导体和电极间肖特基接触的内建电场方向,外加偏压下瞬态光电流的强度变化进一步证实了判断的正确性. 展开更多
关键词 肖特基 整流接触 有机光伏器件 瞬态光电流
原文传递
利用铁电薄膜研究体异质结型有机光伏器件的光电流极性 被引量:2
4
作者 李博 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第1期217-222,共6页
制备了铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)铁电薄膜,并通过紫外-可见(UV-Vis)透射光谱、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其进行了表征.为了研究体异质结型有机共混膜的光电流特性,制作了氧化铟锡(ITO)/PMN-PT/有机共混膜/铝(Al)的光伏器件,... 制备了铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)铁电薄膜,并通过紫外-可见(UV-Vis)透射光谱、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其进行了表征.为了研究体异质结型有机共混膜的光电流特性,制作了氧化铟锡(ITO)/PMN-PT/有机共混膜/铝(Al)的光伏器件,调制激光照射下外加偏压的极性和大小变化将直接改变瞬态光电流的极性和大小,从而可在实验上证明传统体异质结型有机光伏器件的光电流极性是由器件阴、阳电极的功函数差所导致的内建电场的方向决定.同时也提出了一种利用铁电薄膜来研究体异质结型有机光伏器件光电流特性的新方法. 展开更多
关键词 铁电薄膜 有机物 光伏器件 体异质结 瞬态光电流 铌镁酸铅-钛酸铅 极性
下载PDF
BiVO_4膜电极的制备及其光电化学性能 被引量:3
5
作者 彭天右 柯丁宁 +2 位作者 曾鹏 张晓虎 范科 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第9期2160-2166,共7页
以自制的BiVO4纳米粉制备膜电极, 采用电化学方法较系统地研究了退火温度和膜厚对BiVO4膜电极的光电化学行为和电子输运与复合的影响. 结果表明: 退火温度和膜厚对BiVO4膜电极的光电特性有显著的影响. 膜厚为6.75 μm时, BiVO4膜电极具... 以自制的BiVO4纳米粉制备膜电极, 采用电化学方法较系统地研究了退火温度和膜厚对BiVO4膜电极的光电化学行为和电子输运与复合的影响. 结果表明: 退火温度和膜厚对BiVO4膜电极的光电特性有显著的影响. 膜厚为6.75 μm时, BiVO4膜电极具有最佳的光电化学特性. 退火温度低于500 °C时, 膜电极的光电活性随着温度的升高而增强, 至500 °C时达到最大值; 此后膜电极内的体相缺陷明显增加, 导致其光电活性逐渐降低. BiVO4膜电极有良好的可见光光电转换效率, 并利用其单色光转换效率曲线计算得到BiVO4的带隙为2.36eV, 采用莫特-肖特基电化学法测得其平带电位为-0.7 V (vs Ag/AgCl). 上述结果为BiVO4光催化体系的优化提供了重要的参考. 展开更多
关键词 BiVO4膜电极 光电化学性能 瞬态光电流 平带电位
下载PDF
宽剂量率范围的集成电路瞬时电离辐射效应模拟方法研究 被引量:1
6
作者 杜川华 周开明 熊涔 《核电子学与探测技术》 北大核心 2017年第7期726-733,共8页
借助于计算机开展器件和电路辐射效应的数值模拟,已成为抗辐射加固电路设计、制造和辐射性能预测、评估的重要环节。文章深入研究了国际上先进的光电流模型,提出了一种适用于较宽剂量率范围的集成电路瞬时电离辐射效应模拟方法。针对一... 借助于计算机开展器件和电路辐射效应的数值模拟,已成为抗辐射加固电路设计、制造和辐射性能预测、评估的重要环节。文章深入研究了国际上先进的光电流模型,提出了一种适用于较宽剂量率范围的集成电路瞬时电离辐射效应模拟方法。针对一种CMOS电压反馈型运算放大器,建立了器件和整体电路的瞬时电离辐射效应SPICE模型,采用MATLAB和HSPICE相结合的方法计算了电路在多种约束条件下(电路设计参数、辐射条件等)的瞬时电离辐射响应(瞬态峰值电平和恢复时间)。本研究为其他类型CMOS集成电路在较宽剂量率范围下的瞬时电离辐射效应建模和仿真提供了参考。 展开更多
关键词 剂量率 时电离辐射 运算放大器 电路仿真 器件模型 瞬态光电流
下载PDF
TiO_2/CdSe纳晶复合薄膜电极的光电性能研究
7
作者 秦丽莉 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第8期128-130,共3页
研究了TiO2/CdSe纳晶复合薄膜电极的瞬态光电流、光电流作用谱、光吸收特性,结果表明TiO2/CdSe纳晶复合薄膜电极阻止了CdSe上光生电子和空穴的复合,从而提高了阳极光电流的响应,获得了较高增幅的稳态光电流。
关键词 瞬态光电流 光电流作用谱 TiO2/CdSe纳晶复合薄膜电极
下载PDF
纯Bi_(12)SiO_(20)晶体光激发截面的测量
8
作者 梁其民 《山东轻工业学院学报(自然科学版)》 CAS 2000年第1期48-51,共4页
本文用瞬态光电流方法测量了纯Bi1 2 SiO2 0 (BSO)晶体的光激发截面。当脉冲宽度为 7ns、光强为1 35KW/cm2 、波长为 532纳米的脉冲激光照射BSO晶体时 ,得到瞬态光电流的上升时间为 55微秒 ,可计算出BSO晶体的光激发截面S =5 0 4× ... 本文用瞬态光电流方法测量了纯Bi1 2 SiO2 0 (BSO)晶体的光激发截面。当脉冲宽度为 7ns、光强为1 35KW/cm2 、波长为 532纳米的脉冲激光照射BSO晶体时 ,得到瞬态光电流的上升时间为 55微秒 ,可计算出BSO晶体的光激发截面S =5 0 4× 1 0 - 2 0 cm2 。利用光激发截面的数值可得出施主浓度ND=3 2× 1 0 1 9cm- 3。 展开更多
关键词 光激发截面 Bi12SiO20晶体 瞬态光电流 测量
下载PDF
NaCl助熔剂法合成钽酸锂及掺铁钽酸锂晶体
9
作者 郭志峰 宋日 +2 位作者 池君洲 陈东 张云峰 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2022年第9期2179-2185,共7页
采用NaCl助熔剂法合成了钽酸锂及掺铁钽酸锂晶体,分别采用SEM、EDS-Mapping、XPS、XRD、Raman-Mapping、AFM和瞬态光电流测试系统等测试手段对所合成的晶体的微观形貌、元素及成分组成分布、物相组成、应力分布、表面粗糙度、瞬态光电... 采用NaCl助熔剂法合成了钽酸锂及掺铁钽酸锂晶体,分别采用SEM、EDS-Mapping、XPS、XRD、Raman-Mapping、AFM和瞬态光电流测试系统等测试手段对所合成的晶体的微观形貌、元素及成分组成分布、物相组成、应力分布、表面粗糙度、瞬态光电流性能进行了一系列测试研究,测试结果表明所合成的钽酸锂及掺铁钽酸锂晶体元素和成分分布均匀,结晶程度非常高,可机械加工性能良好,抛光后的单晶晶片表面平整光滑,粗糙度小,皆具有良好的光电性能,所合成的钽酸锂晶体表面应力分布均匀,但掺铁钽酸锂晶体表面应力分布不太均匀,存在明显的应力分布集中的区域。 展开更多
关键词 NACL 助熔剂法 钽酸锂 粗糙度 应力分布 瞬态光电流
下载PDF
Influence of nanostructure on the device performance and charge recombination dynamics of P3HT:PCBM solar cells
10
作者 LI Dan XING YaDong +2 位作者 YUE He ZHANG JianPing AI XiCheng 《Chinese Science Bulletin》 SCIE CAS 2012年第26期3436-3441,共6页
In this paper,we investigated the recombination dynamics of photogenerated charge carriers in a poly(3-hexylthiophene)(P3HT):[6,6]-phenyl-C 61-butyric acid methyl ester(PC 61 BM) blend system with donor-acceptor ratio... In this paper,we investigated the recombination dynamics of photogenerated charge carriers in a poly(3-hexylthiophene)(P3HT):[6,6]-phenyl-C 61-butyric acid methyl ester(PC 61 BM) blend system with donor-acceptor ratio of 1:1 before and after solvent annealing treatment.The technique of transient photocurrent and photovoltage measurements were used,and charge carriers were photogenerated by a 7 ns laser pulse at room temperature(298 K).In transient photocurrent measurement,we observed some differences in the saturation extracted charge in P3HT:PCBM solar cells with different power efficiencies.In addition,the bimolecular recombination coefficient is found to be 3.5×10-13 cm 3 s-1 for annealed devices,while 9.5×10-12 cm3 s-1 for as-cast devices.In the transient photovoltage measurement,we found that the photovoltage decay can be fitted by power-law equation at long time scale.The exponent parameter is 2.6 for annealed devices,which can be described as trap-free bimolecular recombination;is 1.76 for as-cast device due to the trap-limited bimolecular recombination.These experimental results indicate that the nanomorphology of active layer indeed have influence on charge carriers dynamics in P3HT:PCBM blend systems. 展开更多
关键词 退火设备 太阳能电池 电荷载体 重组蛋白 动力学 结构体 瞬态光电流 纳米
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部