缺陷俘获势垒测定新方法──瞬态光霍耳谱

以瞬态光霍尔测量为基础，建立了直接观测俘获过程的深中心分析测试新手段．该方法不需要做肖特基结、ｐ－ｎ结、或ＭＩＳ结构，几乎可在零电场下测量缺陷参数，克服电场、德拜带尾、非指数瞬态等对缺陷特性的影响，也克服了深能级瞬态谱技术（ＤＬＴＳ）只能通过载流子发射过程间接测量俘获参数的缺点．用此方法测量了Ｇａ０．７Ａｌ０．

等效深中心研究新方法—瞬态光霍耳和光电阻率谱

考虑到深中心俘获与发射载流子对自由载流子浓度的影响而对深中心俘获过程进行了推导与讨论，发展了以瞬态光霍耳谱测量和瞬态光电阻率谱测量为基础的两套新的深能级分析测试手段，并证明了其等效性。用此方法测量样品不需做结，且对大浓度的深中心也可不做任何修正，尤其适用于缺陷对载流子俘获机制的研究，因而弥补了深能级瞬态谱技术的不足。