高速光耦瞬态共模抑制性能的电路仿真方法

为了解决高速光电耦合器的瞬态共模抑制不能准确测试的问题,研究了光耦的耦合机理和瞬态共模抑制的测试原理。利用仿真技术对电路功能及瞬态共模抑制评估电路的耦合参数(包括耦合电阻与耦合电容)进行仿真和验证,分析了电路中的不同器件参数对仿真结果的影响,并且对得到的输出波形的数据进行读取与分析。以HCPL-2611为例,使用大电阻和小电容并联的模型模拟实际中的耦合情况,通过仿真分析确定了耦合电容的大小,验证了高速光耦瞬态共模抑制仿真方法的有效性。

磁耦数字隔离器瞬态共模抑制性能的电路仿真方法

为解决磁耦数字隔离器的瞬态共模抑制(CMTI)不能准确测试的问题,研究了磁耦合数字隔离器瞬态共模抑制的测试及耦合机理。对耦合电阻、电容两个耦合参数进行了仿真验证,对仿真得到的器件输出波形进行抓取与分析,说明了电路中不同测试条件对仿真结果的影响。以ADI公司的典型磁耦数字隔离器ADUM1200型为例,采用小电容大电阻模型模拟实际耦合,分析并且明确了耦合电容大小状态,验证磁耦合数字隔离器瞬态共模抑制仿真方法是否具有一定的有效性。

电容隔离式栅极驱动电路设计

针对功率半导体器件不断提升的开关频率和工作电压等级使得传统的栅极驱动电路面临着传输延时长、共模瞬态抑制能力(CMTI)不高等一系列缺点,设计了一种电容隔离式的栅极驱动电路,该驱动电路分为低压侧发射端和高压侧接收端2个部分。提出了一种预放大器结构可增强栅极驱动电路的抗噪声能力;也提出了一种改进型包络解调结构可有效降低信号解调的脉冲宽度失真。后仿真结果表明:此栅极驱动电路的CMTI能力高达100 kV/μs,信号典型传输延时为77 ns,脉冲宽度失真为2 ns。