瞬态抑制二极管电磁脉冲响应建模

针对目前浪涌保护器件性能分析方法不完善、缺乏准确数学模型的问题,提出了一种基于NARX神经网络的电磁脉冲响应时域建模方法,并给出NARX神经网络建模的理论基础及设计步骤。通过组建传输线脉冲测试平台及静电放电实验平台,对NUP2105L型瞬态抑制二极管进行注入实验,采集输入输出实验数据并建立NARX神经网络模型。对建模效果进行分析,所建模型可以较为准确地预测输入脉冲为方波脉冲、人体金属模型及机器模型静电放电电磁脉冲时,响应电压曲线趋势、响应时间、脉冲峰值、箝位时间及箝位电压等性能指标,验证了模型的正确性。

水声测量用声脉冲瞬态抑制方法的研究

脉冲声技术是一种很常用的水声测量技术,但由于脉冲声存在着瞬态过程,严重影响了它在低频下的使用。本文中研究的水声测量用声脉冲瞬态抑制方法,通过瞬态抑制等效消除换能器的瞬态过程,从而为在有限尺寸水域内扩展水声测量低频限创造了条件。

无人机自动着陆低空纵向导引与瞬态抑制研究

针对某型仪表着陆系统下滑信标在30 m以下高度不可用的情况,以及控制器切换时舵面会出现瞬态跳变的现象,分别提出采用无线电高度传感器和在控制器切换时加入软化环节的方法来解决这两个问题。并进一步说明使用信息融合滤波技术实现组合制导的可行性。仿真结果表明,系统工作稳定,舵面跳变减小了76.9%,能导引无人机安全自主着陆。

利用瞬态抑制二极管实现高性能稳压电源

在稳压电源设计中 ,如何实现高严酷等级的高速脉冲群抑制能力是一个长期以来难以克服的实际问题 .本文根据实际设计经验 ,介绍一种简单实用的设计方案 .该方案利用瞬态抑制二极管的快速泄放特性 ,大大地提供了高速脉冲群抑制能力 .实际测试和应用表明 。

水声测量用声脉冲瞬态抑制方法的理论研究

水声测量用声脉冲瞬态抑制方法是根据所希望的发射信号对换能器等效电路进行反向推导,得到解析的激励电压波形,用该电压波形激励换能器,可在小空间水域中得到无瞬态过程的声压波形,用于对低频换能器的校准或声学材料性能的测量。

瞬态抑制二极管在车辆仪表中的应用

阐述了车辆干扰产生的机理,瞬态抑制二极管的工作原理、特性参数,以及在车辆仪表中的应用。

瞬态抑制二极管(TVS)的基本知识

二极管是大家熟悉的元件,但瞬态抑制二极管就可能不太熟悉了。本文将介绍这种特殊二极管的用途、工作原理等基本知识。各种电子设备中的各种半导体器件,一般都在直流低电压范围工作,如果在电源中窜入一个瞬间上百伏甚至上千伏的高电压脉冲,就有可能将电路中的半导体器件击穿。例如,人体往往带有静电,放电时的电压脉冲可达几百伏到上千伏。瞬态抑制二极管可用来保护电路,不使这种瞬态高压脉冲损坏半导体器件。

汽车发电机抛负载用瞬态抑制二极管的研发

介绍了汽车发电机在抛负载时感应高电压的产生原因及危害,提出了使用瞬态抑制二极管吸收抛负载时产生的功率及能量的方法,并对瞬态抑制二极管相关结构参数进行了设计和计算,所得数椐可供汽车发电机制造商和有关教学科研单位参考。

Littelfuse公司推出低电容型瞬态抑制二极管阵列

Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,2014年8月其推出了低电容型SP2574NUTG瞬态抑制二极管阵列（SPA二极管）,旨在保护高速差分数据线免受因静电放电（ESD）、电缆放电（CDE）、电气快速瞬变（EFT）和雷击感应浪涌造成的损害。SP2574NUTG来自SP2574N系列瞬态抑制二极管阵列,

Littelfuse推出瞬态抑制二极管阵列

2015年3月17日,Littelfuse公司宣布推出了SLVU2.8-8系列2.8 V、30 A瞬态抑制二极管阵列（SPA二极管）,该产品专为保护低压CMOS设备免受ESD及雷击瞬态电压损害而设计。与市场同类解决方案相比,SLVU2.8-8系列能够为电路设计人员提供高出25%的电源处理能力,具有更高的电气安全系数。它还具有比其它解决方案低57%的电容,有助于保持信号完整性,并将数据丢失率降至最低。

水声测量瞬态抑制的一种新方法

在有限水域中要校准低频换能器,需要进一步缩短瞬态过程.本文从换能器本身考虑瞬态抑制,开展低Q值、小尺寸拼镶圆环换能器的研究.

Littelfuse推出符合AEC-Q101标准的瞬态抑制二极管

Littelfuse公司日前宣布推出TPSMB系列瞬态电压抑制（TVS）二极管。该产品设计用于为敏感的汽车和其他电子元件在负载突降和其他瞬态电压事件引发瞬态电压时提供次级保护。

Littelfuse瞬态抑制二极管阵列保护HBLED灯串免受ESD和EFT损坏

Littelfuse公司近日推出了一个瞬态抑制二极管阵列（SPA二极管）产品系列，该产品系列旨在为可能经历破坏性静电放电（ESD）或电气快速瞬变（EFT）的电子设备保护每个输入／输出引脚。全新SP1004系列瞬态抑制二极管阵列为采用专有硅雪崩技术制造的齐纳二极管。

Littelfuse双向瞬态抑制二极管阵列保护高速接口免受ESD侵害--适合保护HDMI、USB2.0、USB3.0和eSATA等高速接口

中国,北京,2017年3月28日讯——Littelfuse公司作为全球电路保护领域的领先企业,今日宣布推出了一个旨在保护电子设备免受破坏性静电放电（ESD）损坏的瞬态抑制二极管阵列（SPA二极管）系列产品。SP3042系列双向分立型瞬态抑制二极管阵列包括采用硅雪崩技术制造的反向瞬态抑制二极管,它可安全吸收IEC 61000-4-2国际标准（±30 kV接触放电）所规定最高值的反复性ESD震击,而不会造成性能减退。

LittelfuSe推出新型SD和SD-C系列瞬态抑制二极管

2014年6月10日，全球电路保护领域的领先企业Littelfuse 公司宣布推出其瞬态抑制二极管阵列（ SPA？二极管）的最新成员--SD 和 SD-C 系列450 W 分散式单向和双向瞬态抑制二极管。此类快熔型瞬态抑制二极管设计用于保护破坏性静电放电（ ESD ）和雷击引致的浪涌电流，是替代低速和直流应用中多层压敏电阻（ MLV ）的理想选择，因为其可在±30 kV 的条件下安全吸收反复性 ESD 震击而不会对性能造成不利影响，并可安全地耗散高达30A 的浪涌电流。其低动态电阻提供比其他竞争技术低50%的箝位电压，因此非常适用于保护按钮、开关、电源端口以及汽车电子、测试设备、销售点终端设备、超级本、服务器和医疗设备中的其他各种低速 I/O。

紧凑型瞬态抑制二极管

SMF3．3系列瞬态抑制二极管采用超小型、小尺寸的SOD－123FL料料封装，集200W浪涌性能、低反向断态电压（3．3V）和低钳位电压（6．8V）干一体，

专为RS-485端口保护优化的瞬态抑制二极管阵列

SM712系列瞬态抑制二极管阵列（SPA二极管）旨在保护具有不对称工作电压（-7～12V）的RS-485应用免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷击感应浪涌造成的损坏。SM712系列可以在IEC61000-4—2国际标准规定的最高级别安全地吸收反复性ESD放电，且性能不会下降。

低电容瞬态抑制二极管阵列

该低电容瞬态抑制二极管阵列产品系列用于保护高速差分数据线免因静电放电（ESD）、电缆放电（CDE）、电气快速瞬变（EFT）和雷击感应浪涌而损坏。每个SP2555NUTG系列瞬态抑制二极管阵列（SPA二极管）均可在高达45A和30kVESD的条件下保护4个通道或两个差分线对。

瞬态抑制二极管阵列

SP4208系列瞬态抑制二极管阵列（SPA二极管）符合AEC—Q101标准，该系列产品经过优化，可保护敏感的电信端口免因静电放电（ESD）和雷击感应浪涌而受损。该系列产品集成了低电容控向二极管和一个（单向保护）或两个（双向保护）雪崩击穿二极管，可安全吸收高达30A浪涌电流和至少±30kVESD，而不会出现性能减退。

瞬态抑制二极管阵列

Littelfuse为其SP3012系列瞬态抑制二极管阵列（SPA二极管）产品新添两种封装选择。与该系列的其他产品类似，新器件经过优化，可防止外部ESD（静电放电）对高速数据线的敏感型芯片组造成破坏。