瞬态电压抑制二极管TVS及其应用

箝位型二极管(TVS)是目前被广泛应用的瞬态电压抑制二极管。TVS在反向应用条件下,感受到高瞬态能量时能迅速由原来的高阻抗变到很低的导通值,把电压箝位到预定电压,从而有效地消除对敏感系统设备、元件的危害。双向性TVS可正负方向吸收瞬时脉冲大电流,把电压箝位到预定值。TVS可用于防雷击、防过电压、抗干扰、吸收浪涌功率等,是一种理想的保护器件。

TVS瞬态电压抑制二极管及其应用

就雷电瞬时过电压对于精密电子装置的功能影响所造成的干扰与损坏等情况,借助对于瞬态抑制二极管的理念展开研究,并针对10种不同的启动电压的瞬态抑制二极管展开对应的雷电模拟冲击检测,借助示波器搜集残压以及其通流的信息,运算得到瞬态抑制二极管的残压比例。

瞬态电压抑制器TVS的特性及应用

瞬态电压抑制器(TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR)简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。有的文献上也称为TVP、AJTVS、SAJTVS等。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10^(-12)秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点,目前已广泛应用于计锋机系统、通讯设备、电源、家用电器等各个领域。总之,瞬态电压抑制器TVS二极管在各种电路的应用是极为广泛的,有以下三大效用:

瞬态电压抑制器(TVS)及其应用

介绍瞬态电压抑制器———ＴＶＳ的特性和典型应用。

TVS瞬态干扰抑制器性能与应用

本文阐述了电子设备瞬态干扰产生的机理,介绍了TVS瞬态干扰抑制器件的工作原理、特性参数及在电子设备中的设计应用。

特瑞仕开发出二款瞬态电压抑制器TVS

特瑞仕半导体开发了用于保护电子仪器免受静电损害的瞬态电压抑制器。特瑞仕为了充实产品阵容，推出能起到保护便携式仪器、电子仪器免受由静电带来的过电压损害的瞬态电压抑制器，目前已开始量产与销售。配合各种用途备有搭载了2个素子的XBP06V4E2HR—G、搭载了4个素子的XBP06V4E4GR—G两种型号的产品。

TI基于4通道瞬态电压抑制器(TVS)的静电放电(ESD)保护二极管阵列TPD4S012

概述TPD4S012是一个面向USB充电器和USB On-The-Go(OTG)接口、基于4通道瞬态电压抑制器(TVS)的静电放电(ESD)保护二极管阵列。TPD4S012提供了IEC61000-4-2系统级ESD保护,VBUS线路的容差为15V。因为VBUS线路具有高压容差和采用了小型流通封装,所以该器件是为USB充电器和OTG应用提供电路保护的理想之选。

瞬态电压抑制器在快上升沿电磁脉冲作用下的瞬态响应

为了研究瞬态电压抑制器(TVS)对快上升沿电磁脉冲的响应,基于传输线脉冲(TLP)测试理论,建立了由高频脉冲发生器、同轴电缆、专用测试夹具、30dB脉冲衰减器和高性能的数字存储示波器等组成的测试系统。参考时域传输(TDT)TLP测试方法,利用该测试系统,对典型双极TVS器件在快上升沿电磁脉冲作用下的电流特性和电压特性进行了研究,并对试验数据进行了拟合分析。结果表明,TVS器件的箝位电压、峰值电流等参数均随着测试电压的增大而增大,且与测试电压呈线性关系;而由箝位电压决定的箝位响应时间受测试电压的影响较小。经对比分析实验结果得出,对快沿电磁脉冲,采用固定响应时间下的箝位电压来衡量TVS器件的防护性能是较为合理的。

瞬态电压抑制器的雷电通流与箝压特性测试

为提高箝位电压和峰值脉冲电流测量的准确度,利用冲击电流发生器测试3种系列不同类型瞬态电压抑制器的雷电流通流能力、箝位电压特性和伏安特性,分析了它们与额定电压、脉冲峰值功耗及极性的关系。结果表明,TVS额定电压越高,雷电流通流能力越小,同样额定电压的TVS管,脉冲峰值功耗增大后通流能力并未增大,TVS管只适宜作为次级限压性防护元件。随着额定电压的升高,箝位电压逐渐增大,临界箝位系数趋于减小,低额定电压时箝位电压分散性大,高额定电压时箝位电压分散性小,选用和考虑TVS绝缘配合时应予注意。

瞬态电压抑制二极管对半导体桥换能元电爆特性影响的模拟

为了解决瞬态电压抑制二极管(TVS)用于半导体桥火工品抗静电设计的参数优化问题,采用电路模拟和试验相结合的方法,构建了电容放电发火测试电路等效模型和半导体桥PSpice电子器件模型,研究了TVS参数对半导体桥换能元电爆特性的影响。结果表明,当钽电容等效串联电阻为288mΩ,钽电容等效串联电感为0.68μH,导线电感为40nH和回路电阻为3.3mΩ时,22μF/16V电容放电发火电路的等效电路模型和实际吻合。以阻抗-能量列表模型的方式创建的半导体桥PSpice电子器件模型模拟曲线和实际曲线吻合,且模拟电爆数据偏差小于3%。模拟和试验结果表明,TVS对半导体桥电爆性能的影响程度随着其击穿电压的升高而降低。当TVS的击穿电压在8~12V之间时,即使TVS击穿电压低于半导体桥发火电压,半导体桥仍能正常爆发,TVS击穿造成的分流导致半导体桥爆发延迟(2μs),且延迟时间随着TVS击穿电压的降低而延长。

瞬态电压抑制器及其应用

介绍了电路保护的一般措施,瞬态电压抑制器的特性和主要参数。对当前在市场上流行的电路保护器件:瞬态电压抑制器,气体放电管和压敏电阻的基本特性和技术指标作了简要的比较,最后讨论了瞬态电压抑制器在具体保护电路中的应用。

瞬态电压抑制器在开关电源中的应用

描述了瞬态电压抑制器(TVS管)的工作原理和性能参数,以及在开关电源电路中的应用和选管要求。

瞬态电压抑制器的应用

介绍了瞬态电压抑制器的工作原理、特性参数以及使用方法。举例说明了在开关电源浪涌消除上的应用。

浅析用二极管抑制电磁继电器线圈瞬态电压的几种电路

电磁继电器线圈在去激励过程中会产生的瞬态电压,若不对其进行有效抑制,会对电磁继电器输入电路造成损伤或损坏。全文对电磁继电器瞬态电压产生的机理、抑制瞬态电压常用的二极管及几种二极管抑制电路进行了介绍、分析、仿真和试验验证,阐述了每个电路的优缺点。

雪崩型瞬态电压抑制器的选用

硅雪崩型瞬态电压抑制器(TVS)是目前应用最广的瞬态电压抑制器件之一。它的电流—电压特性与标准二极管的电流—电压特性很接近。它的优点在于:体积小,响应时间快(亚毫微秒级),吸收的峰值脉冲功率(给定脉冲波形的峰值脉冲电流与箝位电压的乘积)高,箝位电压可以做得相当低且平坦。

试验机供电改装中的瞬态干扰电压抑制

在试验机供电系统改装中,经常将接触器、继电器和机械开关作为设备供电的控制开关,由于接触器、继电器都为感性器件,在接通、断开及转换的过程中产生的瞬态干扰电压可达几百伏到几千伏,这种时间短、频率高的电压,给电子设备的正常工作造成很大的影响。针对试验机供电系统改装中,瞬态干扰电压产生的原因、抑制的方法及实际应用进行阐述说明。

瞬态电压抑制二极管的概述和展望

文中基于推进我国瞬态电压抑制二极管(TVS)自主研发能力的目的,通过调研TVS的发展历程及近年的研究热点,综述了TVS的制备工艺和主要结构。同时,介绍了TVS的工作机制和主要参数,并重点描述了近年来国际上TVS在低压低电容和低漏电流方面所取得的理论和技术突破。最后提出了TVS的低压集成化等发展趋势。

瞬态电压抑制器的原理及应用

介绍了新型过压保护器件瞬态电压抑制器的工作原理,以及它在开关电源、电工仪表中的应用。

瞬态电压抑制二极管在电路中的应用

主要对瞬态电压抑制二极管作了简单介绍,并给出了一些在电路中的实例及它的选用原则。

瞬态电压抑制器特性及应用

介绍美国ProTek公司瞬态电压抑制器的特性曲线、主要特性参数、分类、选用指南及典型应用.