基于瞬时功耗检测的SiC MOSFET短路保护策略

针对SiC MOSFET对短路电流的耐受能力较弱的问题,设计了一种短路检测策略以提高其运行可靠性。基于SiC MOSFET在正常运行及短路故障状态下的瞬时功耗差异可形成短路判据,设计了瞬时功耗检测的SiC MOSFET短路检测方案和电路。仿真测试了其针对两种不同短路故障工况的监测性能,验证了提出的短路检测的有效性。结果表明提出的短路保护方法响应时间短,短路峰值电流小。

一种基于射频电子标签的超低电压低功耗基带处理器

设计了一款应用于超高频段射频识别系统中电子标签的超低电压低功耗基带处理器.该基带处理器兼容《EPCTMClass-1Generation-2UHFRFID》协议,并满足无源标签的超低功耗要求.在设计上有针对性地提出了一种适合于门控时钟电源管理机制的体系结构,以及简单有效的随机数发生机制和分布式译码电路;并灵活运用了流水线结构、降低逻辑深度等低功耗技术.实现了解码/编码、CRC校验、指令解析、防碰撞机制和权限认证,以及对EEPROM的读写操作等功能.芯片采用Chartered0·35μm1P3MCMOS标准工艺实现,正常工作的最低电压仅为1·5V,平均电流2·1μA,功耗3·15μW,面积1·1mm×0·8mm.