CMOS存储器瞬时辐照效应规律实验研究

对超深亚微米存储器(32 k SRAM)激光辐照下的剂量率效应进行了初步研究,实验测量了SRAM激光辐照下的效应规律,比较了零时SRAM的状态(读状态和片选无效状态)对效应规律的影响,得到了一些初步的效应规律。

控制器组件γ瞬时辐射效应研究

瞬时电离辐射在电子器件内部形成的光电流可引起器件输出扰动,导致电路中部分器件受电源、输入信号及自身产生光电流扰动的多重影响,而单独对器件进行试验无法反映γ瞬时辐射输出扰动在电子组件系统中的传递影响.为此对由DC/DC、稳压器、单片机CPU,FPGA 等组成的控制器组件在2.8×10^5-1.7×10^7Gy（Si）/s的范围内开展了γ瞬时辐射效应的试验研究.试验中对组件功能和器件参数的测试结果表明,在较小的瞬时剂量率下,部分器件输出受到影响,但组件功能正常;较大剂量率时,所有器件均受影响,且组件功能中断.同时观测到瞬时辐射形成的扰动信号在器件间传输现象.

双极晶体管的瞬时中子辐射损伤规律试验研究

瞬时中子辐射损伤效应是评价电子器件抗辐射能力的一项重要指标。利用晶体管直流增益的倒数与中子注量呈线性关系这一特点,采用参数一致性好的硅双极晶体管3DK9D作为位移损伤探测器,通过在线监测晶体管直流增益随累积中子注量的变化,获得了双极晶体管对脉冲中子辐照的响应特性。结果表明,晶体管的瞬时辐射效应是电离损伤和位移损伤共同作用的结果。在相同累计中子注量下,瞬态辐照损伤效应远强于稳态辐照损伤结果。