无屏蔽罩的矩形平面磁控溅射靶的设计

通过理论分析、实际设计和实验 ,对矩形平面磁控溅射靶表面水平磁感应强度B的传统取值上限进行了拓展 .结果表明 :若阴极靶体下表面和 4个侧面的的磁感应强度被屏蔽低于 0 .0 0 0 5T ,同时上表面覆盖同一靶材 ,则可抛弃屏蔽罩 ,采用裸靶结构 ,靶表面的水平磁感应强度B就可以远高于 0 .0 5T ,达到 0 .0 9T ;此外 ,B的增加显著降低了磁控溅射镀膜工艺的着火电压和维持放电电压 。