非规则矩形电阻在Calibre LVS中阻值提取问题研究与实现

本文首先介绍了Calibre LVS的基本流程。在分析了现有的在LVS过程中电阻版图阻值提取方法的优缺点基础上提出了一种新颖的电阻的提取方法,经过Calibre LVS验证可以有效的减小了电阻阻值提取的误差,为非规则矩形电阻提取提供了一种新的。

矩形片式电阻半导体激光钎焊无铅焊点的热循环试验

选用Sn-Ag-Cu无铅钎料,采用半导体激光软钎焊和红外再流焊两种方法对0805型矩形片式电阻元件进行钎焊,并对采用不同方法得到的钎焊焊点进行热循环试验。结果表明,激光软钎焊矩形片式电阻焊点的力学性能优于传统红外再流焊工艺所获得的电阻焊点的力学性能;片式电阻焊点的剪切力随热循环次数的增加呈现下降趋势,在热循环次数相同时,激光软钎焊焊点的力学性能优于红外再流焊焊点。随着热循环次数的增加,片式电阻焊点的剪切断裂的方式由明显的韧性断裂逐渐向脆性断裂转变。

矩形片式电阻元件的半导体激光软钎焊技术

采用Sn-Ag-Cu作为钎焊材料,研究了矩形片式电阻元件的半导体激光软钎焊技术,采用微焊点强度测试仪研究了其力学性能。结果表明,当激光钎焊时间固定时,随着激光输出功率的增加,电阻焊点的剪切力呈现增加的趋势,在某一功率左右达到最大值。随着激光钎焊时间的增加,其所对应的最佳激光输出功率逐渐减小,最佳的激光钎焊时间为1s。对比试验结果表明,激光软钎焊的最佳工艺参数组合所得到的片式电阻焊点力学性能优于采用传统红外再流焊工艺所获得的片式电阻焊点的力学性能。

矩形“双极—双极”电阻率法动态监测煤层采空区底板水害

为探明采空区底板水害,利用一种新的直流电法装置即矩形"双极—双极"电阻率法进行探测。该方法克服了采空区不能直接供电的难题,通过在巷道中预先埋设电极、电缆,实现了对工作面采空区底板水害的动态监测。在资料处理解释方面,采用电阻率层析成像反演计算,提高了解释精度。通过模拟实验和实际应用,证明其有效性、优越性。该方法可对工作面开采过程中可能发生突水的时间和地点进行预报,以便有计划、有步骤、有针对性地做好防治水工作。

厚膜电阻的大范围连续可调设计

介绍了厚膜电阻微调系数和大范围连续可调的基本概念,指出常规厚膜电阻微调系数不超过2,采用帽状电阻可以在一定程度上提高微调系数,但由于受到电阻尺寸的限制,仍不能满足10倍以上的大范围连续可调要求。文中探讨了利用串并联微调来设计大范围连续可调电阻的可行性及基本方法。与单个电阻相比,电阻的串并联微调结构对微调系数具有明显的放大作用,从而使大范围连续可调的实现成为可能。当微调系数超过10时,可通过两个帽状电阻的串并联来实现大范围连续可调,三个矩形电阻的串并联结构可使阻值连续可调范围达30倍以上。

大范围连续可调厚膜电阻设计研究

介绍了厚膜电阻大范围连续可调的基本概念，探讨了利用帽状电阻和串并联微调来设计大范围连续可调电阻的可行性及基本方法。

市场返回单板高压采样电路失效分析

本文介绍某项目市场返回单板的失效定位分析过程,并从工程防护、单板加工、器件选型设计等各方面提出有针对性的优化整改措施,以提高整体系统的环境适应性。

magnetic tunnel junctions spin-transfer torque magneto-resistance nanomagnet dynamics

We investigate bias and different barrier thicknesses effects on quantities related to spin and charge currents in MgO-based magnetic tunnel junctions. Using the non-Equilibrium Green＇s function formalism, we demonstrate that the in-plane and out-of-plane components of the spin-transfer torque have asymmetric and symmetric behaviors respectively. Magneto-resistance also decreases with increasing barrier thickness. The Landau–Lifshits–Gilbert equation describes the dynamics of the magnetization made by spin transfer torque. Increasing in spin current above its critical value or smaller the magnet reduces the switching time which is major result for making of new memory devices.