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磁场下InAs/InP应变矩形量子线能级结构 被引量:1
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作者 王广新 段秀芝 +1 位作者 钟寿仙 张鹏 《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》 CAS 2010年第4期367-371,共5页
利用微扰理论在有效质量近似下研究了磁场下截面长度固定的矩形量子线中电子和空穴的基态、第一激发态能量,在计算过程中考虑了形成量子线的两种材料的晶格常数不同带来的形变势、电子和空穴在材料中的质量失配以及空穴有效质量的各向... 利用微扰理论在有效质量近似下研究了磁场下截面长度固定的矩形量子线中电子和空穴的基态、第一激发态能量,在计算过程中考虑了形成量子线的两种材料的晶格常数不同带来的形变势、电子和空穴在材料中的质量失配以及空穴有效质量的各向异性等因素.结果表明:当磁场增大时,不同尺寸量子线中电子基态能量的差值增大的速度明显减小,而空穴的相应情况不明显;不同尺寸量子线中粒子的第一激发态能量差值随着磁场的增大而增大,并且差值较小. 展开更多
关键词 矩形量子线 磁场 电子 空穴 能级结构
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三元混晶矩形量子线的表面光学声子模
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作者 包锦 闫祖威 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2018年第6期597-604,共8页
运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合介电连续模型,研究了三元混晶矩形量子线系统的表面光学声子模.以AlxGa1-xAs和ZnxCd1-xSe为例,获得了表面光学声子模的色散关系以及表面光学声子模的频率随混晶组分和量子线结构的变化关... 运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合介电连续模型,研究了三元混晶矩形量子线系统的表面光学声子模.以AlxGa1-xAs和ZnxCd1-xSe为例,获得了表面光学声子模的色散关系以及表面光学声子模的频率随混晶组分和量子线结构的变化关系.结果表明:与二元晶体量子线不同,在三元混晶量子线系统中存在四支表面光学声子模,这四支表面光学声子模的频率曲线位于三元混晶的体纵、横光学声子的频率区间内,且其能量随混晶组分和量子线结构的变化而呈非线性变化.三元混晶的"单模"和"双模"性也在色散曲线中体现出来. 展开更多
关键词 表面光学声子模 三元混晶 矩形量子线
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磁场下InAs/InP矩形量子线中的电子结构
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作者 段秀芝 王广新 +1 位作者 刘德 苟秉屏 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2009年第6期749-754,共6页
在有效质量近似下,利用微扰理论研究了矩形量子线中电子和空穴的基态能量.考虑形成量子线的2种材料晶格常数不同带来的形变势、电子和空穴在材料中的质量失配以及空穴有效质量的各向异性等因素,在矩形长度不变时,计算了电子和空穴的基... 在有效质量近似下,利用微扰理论研究了矩形量子线中电子和空穴的基态能量.考虑形成量子线的2种材料晶格常数不同带来的形变势、电子和空穴在材料中的质量失配以及空穴有效质量的各向异性等因素,在矩形长度不变时,计算了电子和空穴的基态能量随磁场以及矩形宽度的变化情况.结果表明,粒子的基态能量随着磁场的增大而增大,随着矩形宽度的增大而减小;磁场增大时,不同尺寸量子线中电子的基态能量随磁场的变化曲线间距减小的趋势比空穴明显得多;在较高磁场下,电子的基态能量随量子线尺寸增大下降的趋势比低磁场时明显,而空穴的这种特征不明显. 展开更多
关键词 矩形量子线 磁场 电子 空穴 基态能量
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矩形量子线中极化子的性质 被引量:8
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作者 丁朝华 王立国 肖景林 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1103-1105,共3页
采用变分法,研究了矩形量子线中极化子在基态和激发态的系统能量。数值计算结果表明:随着量子线尺寸的减小,系统基态和激发态能量都增大。
关键词 矩形量子线 极化子 基态能量 激发态能量 变分法
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三元混晶矩形量子阱线的表面和界面光学声子模 被引量:1
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作者 包锦 闫祖威 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2020年第3期244-252,共9页
运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合介电连续模型,研究了含三元混晶的矩形量子阱线的表面和界面光学声子模。以GaAs/AlxGa1-xAs和ZnxCd1-xSe/ZnSe为例,获得了表面和界面光学声子模的色散关系以及表面和界面光学声子模的频... 运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合介电连续模型,研究了含三元混晶的矩形量子阱线的表面和界面光学声子模。以GaAs/AlxGa1-xAs和ZnxCd1-xSe/ZnSe为例,获得了表面和界面光学声子模的色散关系以及表面和界面光学声子模的频率随混晶组分和量子阱线结构的变化关系。结果表明:与二元晶体量子阱线和三元混晶单量子线不同,在GaAs/AlxGa1-xAs和ZnxCd1-xSe/ZnSe量子阱线中分别存在十支和八支表面和界面光学声子模,这些表面和界面光学声子模的频率曲线分别位于二元晶体和三元混晶的体纵、横光学声子之间的频率区间内,且其能量随混晶组分和量子阱线结构的变化呈非线性变化,三元混晶的"单模"和"双模"性也在色散曲线中体现了出来。 展开更多
关键词 表面和界面光学声子模 三元混晶 矩形量子线
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三元混晶矩形量子阱线的界面光学声子模
6
作者 包锦 闫祖威 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2019年第3期265-273,共9页
运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合介电连续模型,研究了含三元混晶的矩形量子阱线系统的界面光学声子模.以GaAs/AlxGa1-xAs和ZnxCd1-xSe/ZnSe为例,获得了界面光学声子模的色散关系以及界面光学声子模的频率随混晶组分和... 运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合介电连续模型,研究了含三元混晶的矩形量子阱线系统的界面光学声子模.以GaAs/AlxGa1-xAs和ZnxCd1-xSe/ZnSe为例,获得了界面光学声子模的色散关系以及界面光学声子模的频率随混晶组分和量子阱线结构的变化关系.结果表明:与二元晶体量子阱线系统和三元混晶单量子线不同,在三元混晶量子阱线系统中存在六支界面光学声子模,这六支界面光学声子模的频率曲线分别位于二元晶体和三元混晶的体纵、横光学声子之间的频率区间内,且其能量随混晶组分和量子阱线结构的变化而呈非线性变化,三元混晶的"单模"和"双模"性也在色散曲线中体现了出来. 展开更多
关键词 界面光学声子模 三元混晶 矩形量子线
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量子线中形状独立的度规法则
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作者 李葵花 张迎涛 李有成 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2002年第5期466-470,共5页
把方形量子阱线的一维等效势模型推广到矩形量子阱线中 ,通过变分法计算了无限深方形和矩形量子阱线内激子的束缚能 ,进一步验证了量子线有 -形状独立的度规法则存在 .
关键词 量子线 形状独立 度规法则 激子态 一维等效势 半导体 方形量子线 矩形量子线
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Interface-Optical-Phonon Modes in Quasi-one-dimensional Wurtzite Rectangular Quantum Wires 被引量:1
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作者 ZHANG Li 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2006年第6X期1109-1112,共4页
By employing the dielectric continuum model and Loudon's uniaxial crystal model, the interface optical (IO) phonon modes in a freestanding quasi-one-dimensional (Q1D) wurtzite rectangular quantum wire are derived... By employing the dielectric continuum model and Loudon's uniaxial crystal model, the interface optical (IO) phonon modes in a freestanding quasi-one-dimensional (Q1D) wurtzite rectangular quantum wire are derived and analyzed. Numerical calculation on a freestanding wurtzite GaN quantum wire is performed. The resulte reveal that the dispersion frequencies of IO modes sensitively depend on the geometric structures of the Q1D wurtzite rectangular quantum wires, the free wave-number kz in z-direction and the dielectric constant of the nonpolar matrix. The degenerating behavior of the IO modes in Q1D wurtzite rectangular quantum wire has been clearly observed in the case of small wave-number kz and Iarge ratio of length to width of the rectangular crossing profile. The limited frequency behaviors of IO modes have been analyzed deeply, and detailed comparisons with those in wurtzite planar quantum wells and cylindrical quantum wires are also done. The present theories can be looked on as a generalization of that in isotropic rectangular quantum wires, and it can naturally reduce to the case of Q1D isotropic quantum wires once the anisotropy of the wurtzite material is ignored. 展开更多
关键词 interface phonon modes polarization eigenvectors rectangular quantum wire
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