产业协同、高端保护与短周期迂回——中兴事件的新李斯特主义解读

中兴遭受美国芯片禁售,本质上是中国企业在价值链攀升过程中所受到的链主遏制,同时也暴露出产业协同创新中的脱耦,在上游产业和中下游产业的协同发展过程中,下游需求外向化导致上游产业创新拉力不足,而中下游产业的快速发展所产生的产业路径依赖更强化了这种拉力不足,在导致上游企业发展艰难的同时也加大了中下游企业的脆弱性。芯片这一短周期行业技术变迁速度更快、生态链效应突出、产业涉及环节复杂,使得后发国家的跨越式创新面临着更大的困难。结合芯片行业的复杂特征,从新李斯特主义经济学的高端产业保护这一基本主张出发,芯片行业的发展应集中资金,针对高端设计环节进行突破,强调国内产业协同,实现在短周期领域中的迂回创新。

GaN外延薄膜的研究进展

首先回顾GaN外延薄膜生长工艺。然后综述了高质量GaN外延薄膜生长技术的最新重要进展，主要的新技术有：横向外延生长技术；柔性衬底技术；多缓冲层技术；短周期超晶格（SPS）技术；沟道接触结技术以及四组分AlInGaN合金技术，最后对GaN外延薄膜生长技术的发展方向及应用前景提出了展望。