短沟距双沟道轴承心轴加工方法

为了提高短沟距双沟道轴承心轴的加工精度及生产效率,介绍该心轴的初始加工方案,分析其沟道加工难点以及传统单沟道翻转磨削方法加工精度差、报废率高、磨削效率低、产品装配困难等缺陷,提出短沟距双沟道轴承心轴改进加工方案及其工艺流程、尺寸控制标准。指出:改进方案通过两根心轴组合交错磨4沟道工艺,有效提高了零件的加工精度和磨削效率,满足大批量生产要求。

基于0.15μm SOI工艺的耐高温短沟器件设计与实现

绝缘体上硅(Silicon on insulator,SOI)技术在200~400℃高温器件和集成电路方面有着广泛的应用前景,但对于沟道长度≤0.18μm的短沟道器件在200℃以上的高温下阈值电压漂移量达40%以上,漏电流达μA级,无法满足电路设计要求。本文研究了基于0.15μm SOI工艺的1.5 V MOS器件电特性在高温下的退化机理和抑制方法,通过增加栅氧厚度、降低阱浓度、调整轻掺杂漏离子注入工艺等优化方法,实现了一种性能良好的短沟道高温SOI CMOS器件,在25~250℃温度范围内,该器件阈值电压漂移量<30%,饱和电流漂移量<15%,漏电流<1 nA/μm。此外采用仿真的方法分析了器件在高温下的漏区电势和电场的变化规律,将栅诱导漏极泄漏电流效应与器件高温漏电流关联起来,从而定性地解释了SOI短沟道器件高温漏电流退化的机理。

短沟道负电容GAAFET的物理解析模型的理论推导

围栅场效应晶体管的EDA设计软件是我国芯片产业“卡脖子”的关键技术之一,已经受到科学界与产业界的高度重视.本文首先通过合理近似推导出传统短沟道GAAFE的物理解析模型,然后在此基础上通过增加铁电层推导出负电容GAAFET的物理解析模型.该物理模型的理论推导有助于加深学生对GAAFET工作原理的理解,激发学生的学习兴趣,提高学生的研究能力.

氨氮和重金属Cu^(2+)对放逸短沟蜷的急性毒性及氧化胁迫效应

为了解放逸短沟蜷在环境胁迫下的生存能力,开展了氨氮和铜离子(Cu^(2+))对放逸短沟蜷的急性毒性试验。分别在氨氮和Cu^(2+)胁迫状态下,测定在放逸短沟蜷肝脏中超氧化物歧化酶(SOD)、过氧化氢酶(CAT)活性和丙二醛(MDA)含量的变化。结果表明,在氨氮胁迫下,放逸短沟蜷的安全浓度为3.51 mg/L;在Cu^(2+)的胁迫下,放逸短沟蜷的安全浓度为0.0835 mg/L。分别在低浓度和高浓度氨氮的胁迫下,随着胁迫时间的增加,放逸短沟蜷肝脏中的CAT和SOD活性均呈现先降低后升高的波浪式变化,而丙二醛(MDA)含量逐渐增加,且低、高浓度处理组均低于对照组并有显著的差异(P<0.05);分别在低浓度和高浓度Cu^(2+)胁迫下,随着胁迫时间的增加,放逸短沟蜷肝脏中的CAT和SOD活性均呈现先降低后升高的趋势,其肝脏中MDA含量增加,低、高浓度处理组均与对照组有显著差异(P<0.05)。指出,肝脏中MDA含量的增加,抑制了SOD和CAT的活性,导致放逸短沟蜷逐渐失去运动能力。

短沟对虾和斑节对虾酚氧化酶原基因的克隆和序列分析

采用RT PCR原理和长片段扩增技术克隆短沟对虾和斑节对虾酚氧化酶原基因。设计合成特异引物、提取血细胞总RNA ,反转录后扩增获得的特异片段回收并克隆到pGEM TEasyVector系统的T载体上 ,重组子进行碱基序列测定。结果表明 ,所克隆的短沟对虾酚氧化酶原基因含起始密码子ATG到终止密码子TGA的 2 0 5 5bp ,编码 6 84个氨基酸。斑节对虾酚氧化酶原基因含ATG到TGA的 2 0 6 1bp ,编码 6 86个氨基酸。短沟对虾酚氧化酶原推算分子量为 781 5 3Da ,等电点pI为 6 2 5 ;斑节对虾则为 785 81Da ,pI为 5 83。用DNA分析软件分析显示两种对虾酚氧化酶原基因具有高度的同源性 ,二者的碱基和推测的氨基酸序列同源性分别为 93 %和 92 %;对虾与其他节肢动物酚氧化酶原基因的同源性的高低与种类间亲缘关系相关 ;不同种类间酚氧化酶活性中心重要组成部分的 2个铜结合位点、位于铜结合位点内的6个组氨酸以及与铜结合位点相邻的氨基酸序列高度保守。

长毛对虾、短沟对虾和日本对虾的染色体研究

目前,利用高新技术,如实行生殖和遗传操作进行对虾品种改良的设想正在中国、美国、澳大利亚和日本等国加紧实施,但对虾遗传和生殖学研究尚欠深入,限制了这项研究的进展。其中对虾染色体知识的贫乏和研究技术的短缺就是突出的一例。

短沟对虾两个野生群体遗传多样性的RAPD分析

利用RAPD标记技术检测了厦门和汕头沿海2个短沟对虾群体基因组DNA的多态性，并对其遗传多样性进行了分析。从40条随机引物中筛选出13个10bp引物。共扩增出65条清晰可重复的DNA片段，片断长度为100—2200bp，在2个群体间没有检测到特异的片段。厦门和汕头群体的多态片段比例分别为87．69％和89．23％，杂合度分别为0．212和0．218，遗传多样性指数分别为0．2847和0．2913，两群体间的遗传距离为0．018，FST值为0．004。可见两野生群体种质资源仍然维持在良好水平，遗传分化程度很低，可能是同一种群，具有进一步开发的潜力。

短沟道MOSFET解析物理模型

本文基于修正的二维泊松方程导出了适用于深亚微米MOSFET的阈值电压解析模型,并进而通过反型区电荷统一表达式并考虑到载流子速度饱和、DIBL、相关迁移率、反型层电容和沟道长度调制等主要小尺寸与高场效应,最后得到了较为准确、连续和可缩小的漏极电流模型.模型输出与华晶等样品测试MINIMOS模拟结果较为吻合。

短沟道MOST阈值电压温度系数的分析

本文分析了短沟道ＭＯＳＴ阈值电压在室温以上的温度特性，并给出了它的温度系数计算公式。根据计算结果，可以得到如下结论：短沟道ＭＯＳＴ的阈值电压温度系数随着沟道长度缩短而减小．与长沟道ＭＯＳＴ相似，在一定的温区范围内，可以把短沟道ＭＯＳＴ的阈值电压温度系数作为常数，用线性展开式来表达阈值电压的温度特性。

复方三氯异氰尿酸对短沟对虾各期幼体的毒性

用静水试验法研究了复方三氯异氰尿酸(TCCA,强氯净)对短沟对虾(Penaeus semisuicatus)各期幼体的急性毒性。无节幼体和溞状幼体试验设6个质量浓度组(0.5 mg·L-1、1.0 mg·L-1、1.5 mg·L-1、2.0 mg·L-1、2.5mg·L-1、3.0 mg·L-1)和1个空白组,糠虾幼体和仔虾设7个质量浓度组(1.0 mg·L-1、1.5 mg·L-1、2.0 mg·L-1、2.5 mg·L-1、3.0 mg·L-1、3.5 mg·L-1、4.0 mg·L-1)和1个空白组,每组3个平行。结果显示,24 h半致死质量浓度(LC50)和48 h LC50的95%置信区间分别是无节幼体1.47～1.78 mg·L-1和1.34～1.46 mg·L-1;溞状幼体1.67～1.78 mg·L-1和1.23～1.36 mg·L-1;糠虾幼体2.05～2.25 mg·L-1和1.58～1.79 mg·L-1;仔虾3.14～3.38 mg·L-1和2.59～2.78 mg·L-1。安全质量浓度(SC)分别是无节幼体0.30 mg·L-1,溞状幼体0.22 mg·L-1,糠虾幼体0.34 mg·L-1,仔虾0.55 mg·L-1。试验结果可为短沟对虾育苗安全用药提供参考。

短沟道MOS器件随机电报信号噪声的检测与分析

随机电报信号(RTS)噪声是表征短沟道器件可靠性的重要敏感参数,能敏感地反映MOS器件中的边界陷阱,为探测小尺寸器件中的缺陷提供了有效的手段。为了能够准确测量出RTS,采用了无噪声偏置电路,设计了两级抑噪电路。在两通道三个运算放大器的基础上,设计了RTS噪声测量放大器,提出一种改进的变步长LMS数字滤波器算法,构造了步长函数和误差的相关值之间的非线性表达式。实验结果表明,在较小的RTS时间常数下,相同精度时,参量提取的误差比传统方法减小20%,同时新算法具有更快的收敛速度,良好的稳态误差性。

ELO/SOI膜上短沟道MOSFET的研究

在 ELO/SOI膜上制备出了短沟道 MOSFET.电子及空穴场效应迁移率分别为 360 cm^2/V.s及 200 cm^2/V.S.PMOS及 NMOS晶体管的亚阈值斜率分别为 190mV/dec和 220mV/dec,漏泄电流为10^(-10)A/μm数量级.本文讨论了 SOI-MOSFET的器件特性.

浙西山区水库小流域放逸短沟蜷的空间格局

放逸短沟蜷(Semisulcospira libertina)是浙西山区水库小流域底栖螺类的优势种,定量采集不同环境条件的9个样点的标本,分别采用Taylor幂法则、Iwao聚集格局回归分析法及Morisita指数公式计算和统计分析,结果显示,所调查流域的放逸短沟蜷种群密度差异极显著,其种群空间格局理论上属于聚集型负二项分布,主要是由环境污染和流域底质所致.

NMOS短沟DD结构热载流子效应的研究

本文描述制作和研究有效沟长为1μm的砷-磷双注入NMOS管(简称DD管).用工艺模拟和器件模拟程序计算和优化了工艺.实验结果与模拟结果完全一致,说明在相同有效沟道长度下DD结构比普通NMOS管的热载流子效应小.

短沟道MOS阈值电压物理模型

通过求解二维泊松方程推导了一个简洁的短沟道 MOS的阈值电压模型 ,得到的 DIBL因子可用于分析参数对短沟道效应的影响。模拟的结果能很好地与数值模拟器

短沟道SOI MOSFET栅结构研究与进展

系统比较了几种不同栅结构短沟道SOIMOSFET的性能,包括短沟道效应、电流驱动能力、器件尺寸等特性,获得了栅的数目与短沟道SOI器件的性能成正比的结论。介绍了两种新的短沟道SOI器件栅结构:Π栅和Ω栅,指出了短沟道SOIMOSFET栅结构的发展方向。

短沟对虾人工育苗试验报告

于１９８６年在国内首次对短沟对虾进行人工育苗试验，共孵出无节幼体５０万尾，培育成仔虾（Ｐ１）２３万尾，育苗成活率为４６％．

浙江省6种短沟蜷足肌全蛋白SDS-PAGE图谱的比较研究

目的探讨短沟蜷属螺类生化特性和种间差异,以及对传播卫氏并殖吸虫病的意义。方法采用SDS-聚丙烯酰胺凝胶电泳(PAGE),对浙江省6种短沟蜷(Semisulcospira)螺类的足肌全蛋白区带进行比较研究。结果各螺种出现率在50%以上的多肽区带为17～20条,分子量在27～162kDa之间。其中仅有2条强多肽区带完全一致,分子量为93kDa和52kDa。各种间特征性区带主要表现在其染色特性上,全蛋白种间相似系数(Sm)在0.74～0.85之间。结论结合短沟蜷属螺类形态学特点,两条多肽主带,可作为该属的生化分类指标,对传播人体并殖吸虫病可能具有意义。

一个解析的适用于短沟SOI MOSFET’s的高频噪声模型

提出了一个新的解析的适用于SOIMOSFET’s的高频噪声模型 .该模型通过耦合能量平衡方程克服了以往噪声模型所具有的缺点 ,并对短沟SOI器件的噪声给出精确地描述 .同时 ,利用该模型可以容易地计算出相对于最小噪声值处的优化的栅源电压 ,为低噪声的电路设计提供优化的设计方向 .由于该噪声模型的简单性 ,可以很方便地将模型植入电路模拟器如SPICE中完成电路设计 .

厦门和汕头沿海短沟对虾群体遗传结构及分化

采用聚丙烯酰氨凝胶电泳对2002年10月采集的厦门(XM02)和汕头(ST)沿岸短沟对虾野生群体和2003年8月采集的厦门沿岸短沟对虾野生群体(XM03)进行群体遗传结构及其分化的研究。共检测了EST、ACP、ALP、MDH、ME、SOD、POD、ADH和LDH等9种酶共23个基因座位。结果表明:3个群体平均每位点等位基因有效数目(Ae)为1·207-1·244,多态位点百分数(P0·95)为39·13%-43·48%,群体平均观察杂合度(H0)为0·1231-0·1494,期望杂合度(He)为0·132-0·1443;XM02、XM03和ST的遗传偏离指数(d)分别为0·041、-0·045、0·181,表明群体内的近交衰退不明显,遗传变异水平较高,种质资源尚好。群体之间的遗传距离(D)为0·0010-0·0064,基因流(Nm)为18·98-26·57,表明厦门和汕头短沟对虾应属同一群体,推测台湾海峡中部较深水域或东侧的较高温度水域为其越冬和繁殖的场所[动物学报52(2):349-354,2006]。