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短沟道nMOSFET中击穿模式与击穿位置之间的关系及其对可靠性规范的影响
1
《电子产品可靠性与环境试验》
2003年第2期67-67,共1页
关键词
短沟道型
NMOSFET
击穿模式
击穿位置
晶体管
沟
道
下载PDF
职称材料
题名
短沟道nMOSFET中击穿模式与击穿位置之间的关系及其对可靠性规范的影响
1
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2003年第2期67-67,共1页
关键词
短沟道型
NMOSFET
击穿模式
击穿位置
晶体管
沟
道
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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1
短沟道nMOSFET中击穿模式与击穿位置之间的关系及其对可靠性规范的影响
《电子产品可靠性与环境试验》
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