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一个解析的适用于短沟SOI MOSFET’s的高频噪声模型
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作者 张国艳 廖怀林 +3 位作者 黄如 Mansun chan 张兴 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1601-1604,共4页
提出了一个新的解析的适用于SOIMOSFET’s的高频噪声模型 .该模型通过耦合能量平衡方程克服了以往噪声模型所具有的缺点 ,并对短沟SOI器件的噪声给出精确地描述 .同时 ,利用该模型可以容易地计算出相对于最小噪声值处的优化的栅源电压 ... 提出了一个新的解析的适用于SOIMOSFET’s的高频噪声模型 .该模型通过耦合能量平衡方程克服了以往噪声模型所具有的缺点 ,并对短沟SOI器件的噪声给出精确地描述 .同时 ,利用该模型可以容易地计算出相对于最小噪声值处的优化的栅源电压 ,为低噪声的电路设计提供优化的设计方向 .由于该噪声模型的简单性 ,可以很方便地将模型植入电路模拟器如SPICE中完成电路设计 . 展开更多
关键词 soi MOSFET's 高频噪声 模型 短沟soi器件 热噪声
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