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应变对石墨型B3N4几何与电子结构的影响
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作者 高本领 《盐城工学院学报（自然科学版）》 CAS 2013年第4期1-4,18,共5页
通过密度泛函理论研究了非磁状态下应变对石墨型B3N4(g-B3N4)几何与电子结构的影响:结果发现g-B3N4结构具有较高的稳定性,是性能良好的导体,导电电荷主要是N中P电子贡献;随着材料由压缩到拉伸,材料的导电能力变弱,暗示了又一无金属元素... 通过密度泛函理论研究了非磁状态下应变对石墨型B3N4(g-B3N4)几何与电子结构的影响:结果发现g-B3N4结构具有较高的稳定性,是性能良好的导体,导电电荷主要是N中P电子贡献;随着材料由压缩到拉伸,材料的导电能力变弱,暗示了又一无金属元素导体材料gB3N4的可靠存在。 展开更多
关键词 密度泛函理论 石墨型b3n4 稳定性 导体
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