基于硅外延片用石墨基座的温度均匀性研究

通过对电磁感应加热的硅外延化学气相沉积反应腔室建立理论分析模型,结合工程实验对比,研究了不同石墨材料和不同基座结构对基座表面温度均匀性的影响。结果显示,在工程中,选择合适的石墨材料、设计合适的基座结构对硅外延片电阻率均匀性有着很大的影响,但在提升产品质量的同时也要平衡经济效益。

SiC涂层石墨基座Pocket设计的研究

通过设计用于MOCVD的多种Pocket规格的2"-54片的SiC涂层石墨基座,进行LED外延生长得出Pocket台阶高度、Pocket底部形状与波长的关系,从而设计合适规格的量产SiC涂层石墨基座。