用键参数函数法研究石墨层间化合物(GIC)的形成规律

从化学键理论出发，利用键参数函数Φ［（ｚ／ｒｋ）Ｍ，ＸＭ，（ｚ／ｒｋ）Ｃ，ＸＣ］研究了气相条件下金属插入石墨层间形成施主型石墨层间化合物（ＧＩＣ）的规律，包括金属的插入能力、插入剂的价态、电荷转移、一阶ＧＩＣ的结构等。并提出用相对插入指数Ｉ来表征金属元素插入石墨的难易程度，结合键参数图总结了气相条件下施主型ＧＩＣ的形成规律，很好地解释了一些实验事实，还得到了一些尚无实验报道的预期结果。

纳米复合材料──石墨层间化合物（GICs）的电化学合成研究

本文调研了纳米复合材料─ＧＩＣｓ（石墨层间化合物）的电化学法合成ＧＩＣｓ的各种研究方法及利用水溶液进行电化学插层的可行性等。分析了ＧＩＣｓ的性能，并阐明了当前可膨胀石墨的电化学法生产中存在的问题及可能的解决措施。

石墨层间化合物FeCl_3-CrO_3-GIC的制备及性能研究

以天然鳞片石墨、CrO3、CH3NO2、FeCl3为原料,按物质的量的比34∶1.5∶22∶1,利用化学氧化法制备出低温易膨胀、高膨胀容积的石墨层间化合物,300℃时膨胀容积为420mL·g-1,800℃时达到最大膨胀容积630mL·g-1,明显优于传统硫酸、硝酸插层的石墨层间化合物。采用SEM、EDS、FTIR、XRD、TG、VSM等技术对石墨层间化合物的组成、结构、性能进行了表征和分析。

超微粉石墨层间化合物FeCl_3-NiCl_2-GICs的制备及电磁性能研究

以微粉石墨为主体材料合成出不同阶结构的FeCl3 NiCl2 GICs。应用XRD、SEM对产物的晶体结构与表面形貌进行分析表征。采用范德保法测量产物在常温常态下的电阻率 ,用MODEL960 0振动磁强计测量GICs在 0～ 7 95 8× 10 5A m磁场强度下的磁化强度、磁化率。测量数据表明异类原子FeCl3、NiCl2 插入石黑层间后 ,GICs的电导率增加 1 3～ 2 9倍 。

纳米复合材料——石墨层间化合物（GICs）的结构分析

本文调研了纳米复合材料——ＧＩＣｓ（石墨层间化合物）结构的主要研究方法、原理及模型，并介绍了在ＧＩＣｓ结构研究中用到的现代分析手段。

石墨层间化合物(GIC_s)材料的研究动向与展望

1.前言石墨的晶体结构,在碳原子面上以SP2杂化轨道电子形成的共价键及Pz轨道电子形成的金属键相连结,从而形成牢固的六角网状平面。碳原子间具有极强的键合能（345kJ/mol）;而在碳原子平面间,其结合则是弱的范德瓦尔键（键能16.7kJ/mol）。这种层状结构的特点决定了石墨一系列的理化特性,同时也提供了其它物质插入碳原子平面间,从而形成一类新型材料的可能性。后者就是所谓的石墨层间化合物GlL?（Graphite Intercalation Compounds）。

混合法制备FeCl_3-石墨层间化合物的初步研究

研究了混合法制备ＦｅＣｌ３－ＧＩＣ的反应温度、反应时间和Ｃ／ＦｅＣｌ３摩尔比对产物阶结构的影响。结果表明：反应温度是影响产物阶结构的主要因素；随着反应时间延长和Ｃ／ＦｅＣｌ３摩尔比减小，产物中低阶相的量增大，共存石墨减少；在适宜的条件下可制得纯一阶的ＦｅＣｌ３－ＧＩＣ。

石墨层间化合物(GIC_s)材料的研究动向与展望(续)

5.在物理学化学光谱学等领域对GICs的研究 GICs近十年来的进展应归功于化学、物理及材料科学三个学科的彼此交叉,相互渗透,同时GICs研究的深化也对其它学科的进展作出了积极的贡献。所以GICs的研究是边缘学科与高技术工程学科结合的一个具体体现。

石墨层间化合物GICs的形成机理探讨

将 GICs形成过程划分为熔融、活化、扩散和成键等阶段 ,分析了各阶段反应的主要影响因素 ,以氯化铜、氯化镍 GICs的合成实验为基础 ,根据 SEM对石墨膨胀前后、插层前后的形貌分析 ,以及膨胀石墨合成 GICs反应前后体积变化分析 ,认为 GICs的形成过程中 ,主要有三个机制起作用 :氯化物扩散机制、氯化物和碳原子层之间离子键牵引机制和石墨碳原子层分子键牵引回复机制。在膨胀石墨 GICs的合成过程中 ,除占主导地位的扩散机制外 ,还存在化学键牵引机制 ,主要包括碳原子间分子键牵引和碳原子氯化物之间的离子键牵引。

再次插入法制备超大膨胀体积石墨层间化合物(英文)

为进一步增大膨胀石墨的膨胀体积,用二次插入的方法制备了石墨层间化合物。首先用化学氧化法制备了膨胀体积为250mL/g的可膨胀石墨,然后以膨胀体积为250mL/g的可膨胀石墨为原料,用二次插入的方法制备了膨胀体积为380mL/g的膨胀石墨。讨论了各种反应物比率、反应温度和反应时间对膨胀体积的影响。对制得的膨胀石墨进行了各种表征,XRD谱显示产物保持了天然石墨的层状晶体结构,但是产物的石墨层间距离增大。扫描电镜照片显示通过二次插入石墨层间确实被进一步打开。结果显示这种新的制备方法是可行的,它为纳米石墨材料的研究提供了新的思路。

混合法合成二阶氯化铁-石墨层间化合物的研究

在前期合成纯一阶 Fe Cl3- GIC工作的基础上 ,设计了混合法合成二阶 Fe Cl3- GIC的实验方案 ,考察了反应温度、C和 Fe Cl3摩尔比 n( C) /n( Fe Cl3)、保温时间对产物阶结构的影响 .首次用混合法合成了纯二阶Fe Cl3- GIC,确立了其最佳反应条件 .

石墨层间化合物（GIC）的研究及应用

本文论述了石墨层间化合物（ＧＩＣ）的结构特征、合成方法、物理化学特性以及国内外对ＧＩＣ功能材料的研究和应用现状．

稀土对石墨层间化合物(GIC)结构及性能的影响

本文从稀土元素的结构特征出发，在结合我们前期理论研究工作的基础上，论述了稀土金属—、稀土金属—液氨—，稀土氯化物—石墨层间化合物的合成及它们的结构特点。通过研究稀土对ＧＩＣ结构及性能的影响，指出了稀土—石墨层间化合物的发展趋势及应用前景。

石墨层间化合物阶结构的标定方法

阶作为表征石墨层间化合物的主要参量之一，在对石墨层间化合物的结构研究中起着重要作用。本文依据晶体材料X射线分析原理，结合石墨层间化合物的结构特性，对几种阶结构的标定方法进行了介绍和分析。

电化学法合成的FeCl_3－ZnCl_2三元石墨层间化合物插入层畴结构的研究

用扫瞄透射电镜（ＳＴＥＭ）和扫瞄隧道电镜（ＳＴＭ）配合，观测分析了电化学法合成的ＦｅＣｌ_３－ＺｎＣｌ_２三元ＧＩＣ插入层的畴结构。发现了条状、网状、指纹状三种畴，并测定了畴的尺度数量级，发现形成畴后，近邻碳原子面发生隆起变形，观测到畴内插入层物质取向与畴不一致。

南墅鳞片石墨氯化铁层间化合物的溶剂法合成

由南墅鳞片石墨用溶剂法合成了三阶的氯化铁石墨层间化合物，合成中不用过分地隔离水。合成中石墨鳞片大小，溶液浓度，合成时间等对石墨层间化合物的阶数影响不大，但却使层间化的量发生很大变化。

用熔盐法合成FeCl_3—CuCl_2三元石墨层间化合物的稳定性

采用DTA—TG曲线及X射线(00L)衍射图测定了用熔盐法合成FeCl_3CuCl_2三元石墨层间化合物的重量热稳定性、阶结构热稳定性及湿度稳定性。

钾膨胀石墨层间化合物(K-EGIC_S)的电阻率测量

在低温惰性条件下合成的钾膨胀石墨层间化合物 (K_EGICS)的电学性能与膨胀石墨的电学性能完全相反 ,随着温度的升高 ,K_EGICS 的电阻率逐渐升高 ,电导率逐渐降低。这一现象是由客体材料钾自身的结构及其与膨胀石墨化合时的键性决定的。

过二硫酸铵氧化法制备石墨层间化合物(GIC)

本实验采用以过二硫酸铵为主体的混合氧化剂,三氯化铁作插人剂的方法,制备石墨层间化合物(GIC)。探讨了混合氧化剂的浓度比、反应温度、反应时间等因素对制取石墨层间化合物的影响.从而得出最佳的制备条件是:过二硫酸铵与硫酸的质量比为1:3、插入剂与石墨的质量为1:6、反应时间15min、反应温度50℃。

超微粉石墨层间化合物CuCl_2-NiCl_2-GICs合成及电学性能

常规的ＧＩＣｓ合成原料均采用合成石墨或者粒度较粗的天然石墨，这里采用超微粉石墨作原料，进行受主金属氯化物ＣｕＣｌ２－ＮｉＣｌ２－ＧＩＣ的合成研究。使用山东南墅石墨（３０００目）、Ｃｕ－Ｃｌ２和ＮｉＣｌ２（５ｎ：０．５∶０．５摩尔比），在５２８℃、真空度１０．３Ｐａ条件下，得到超微粉的ＣｕＣｌ２－ＮｉＣｌ２－ＧＩＣｓ，ＳＴＥＭ单原子能谱扫描结果显示出铜离子和镍离子分布基本均匀。合成的１，２，３和４阶ＧＩＣｓ的电导率分别为１．５３６×１０４，１．６３８×１０４，３．７７３×１０４，和５．７２７×１０４。而石墨原料的电导率为１．８５１×１０４，从整体来看合成的ＧＩＣｓ的电导率是石墨原料的０．８－３倍。对比合成的ＧＩＣｓ的电导率发现，阶数不同，电导率不同，并且随着阶数的升高，电导率增大。