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具有石墨烯辅助导电层的碳纳米管射频场效应晶体管
1
作者
江丽红
杨扬
+2 位作者
霍帅
曹正义
孔月婵
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期36-39,44,共5页
采用纯度高于99%的半导体型单壁碳纳米管分散液制备碳纳米管无序网络作为射频场效应晶体管的有源沟道材料,使用单层石墨烯作为器件源漏的辅助接触电极,研制出T型栅结构的碳纳米管射频场效应晶体管。采用石墨烯加强晶体管器件的欧姆接触...
采用纯度高于99%的半导体型单壁碳纳米管分散液制备碳纳米管无序网络作为射频场效应晶体管的有源沟道材料,使用单层石墨烯作为器件源漏的辅助接触电极,研制出T型栅结构的碳纳米管射频场效应晶体管。采用石墨烯加强晶体管器件的欧姆接触,降低器件的寄生电阻和寄生电容,提高器件的高频性能。实验制备的碳纳米管射频晶体管沟道长度为90nm左右,电流增益截止频率f_T达到13.5GHz,最大振荡频率f_(max)达到10.5GHz,体现了碳纳米管在射频器件应用领域的技术潜力。
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关键词
碳纳米管
射频晶体管
石墨烯辅助导电层
T型栅
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职称材料
题名
具有石墨烯辅助导电层的碳纳米管射频场效应晶体管
1
作者
江丽红
杨扬
霍帅
曹正义
孔月婵
机构
南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期36-39,44,共5页
文摘
采用纯度高于99%的半导体型单壁碳纳米管分散液制备碳纳米管无序网络作为射频场效应晶体管的有源沟道材料,使用单层石墨烯作为器件源漏的辅助接触电极,研制出T型栅结构的碳纳米管射频场效应晶体管。采用石墨烯加强晶体管器件的欧姆接触,降低器件的寄生电阻和寄生电容,提高器件的高频性能。实验制备的碳纳米管射频晶体管沟道长度为90nm左右,电流增益截止频率f_T达到13.5GHz,最大振荡频率f_(max)达到10.5GHz,体现了碳纳米管在射频器件应用领域的技术潜力。
关键词
碳纳米管
射频晶体管
石墨烯辅助导电层
T型栅
Keywords
carbon nanotube
RF transistor
graphene conductive layer
T-gate
分类号
TN323.2 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
具有石墨烯辅助导电层的碳纳米管射频场效应晶体管
江丽红
杨扬
霍帅
曹正义
孔月婵
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018
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