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高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器及退化
1
作者
张素梅
石家纬
+5 位作者
齐丽云
胡贵军
李红岩
李永军
刘建军
张锋刚
《飞通光电子技术》
2001年第1期7-10,39,共5页
通过对研制的50余只808nm的GaAs/GaAlAs大功率单量子阱远结半导体激光器的老化实验观测,在老化初期(前520h),阈值电流随老化时间的延长而下降,下降幅度高达57mA,通过大于1000h的恒流电老化,器件的输出光功率在老化初期有所上升,随后表...
通过对研制的50余只808nm的GaAs/GaAlAs大功率单量子阱远结半导体激光器的老化实验观测,在老化初期(前520h),阈值电流随老化时间的延长而下降,下降幅度高达57mA,通过大于1000h的恒流电老化,器件的输出光功率在老化初期有所上升,随后表现出按指数规律缓慢下降的行为。实验结果表明器件具有长寿命的潜力。
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关键词
石家铝砷化合物
单量子阱
远结半导体激光器
老化
砷
化镓
退化
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职称材料
题名
高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器及退化
1
作者
张素梅
石家纬
齐丽云
胡贵军
李红岩
李永军
刘建军
张锋刚
机构
吉林大学电子工程系集成光电子国家重点实验室吉林大学实验区
出处
《飞通光电子技术》
2001年第1期7-10,39,共5页
文摘
通过对研制的50余只808nm的GaAs/GaAlAs大功率单量子阱远结半导体激光器的老化实验观测,在老化初期(前520h),阈值电流随老化时间的延长而下降,下降幅度高达57mA,通过大于1000h的恒流电老化,器件的输出光功率在老化初期有所上升,随后表现出按指数规律缓慢下降的行为。实验结果表明器件具有长寿命的潜力。
关键词
石家铝砷化合物
单量子阱
远结半导体激光器
老化
砷
化镓
退化
分类号
TN248.5 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
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1
高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器及退化
张素梅
石家纬
齐丽云
胡贵军
李红岩
李永军
刘建军
张锋刚
《飞通光电子技术》
2001
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