Bi代石榴石膜晶化机理研究

通过对Ｂｉ代石榴石膜的成核、晶体生长速率和法拉第效应的分析，给出最大成核温度范围（６３０℃～６８０℃）和细化晶粒的途径，膜的磁光性能、结构和成份测试结果与理论分析一致。

石榴石单晶膜液相外延的最佳生长温度

笔者曾提出过石榴石单晶膜液相外延生长的“等效参量”的概念 ,并对化学反应级数n为任意的情形提出了简约理论模型 ,同时分析了各个参量的确定问题 ,从而得到了生长速度曲线。从生长优膜的角度考虑 ,还需要确定最佳外延生长温度。这是第一次提出这个问题。根据简约模型可以得到 4个特征温度 :饱和温度Ts、生长速度最大时的温度Tm、生长速度与化学反应级数n无关的温度Tn 和生长速度随n的变化最剧烈时所在的温度TP。Tn,TP 分别满足的方程已得出。我们认为 ,Ts 为生长膜的温度的上限 ,Tn 为生长优质膜的温度的下限 ,而Tp 则为最佳生长温度 (Ts-Tp 为最佳过冷度 )。在Tp 下 ,不同的n对应的生长速度相差最大 ,膜的成分最集中 ,性能最好。对YIG和La :YIG ,本文计算出过冷度分别为 1 5℃和 1 2℃。实验结果分别为 1 7℃和 1 0～1 5℃ ,可知本文提出的最佳生长温度是合理的 ,对其他系列的膜也可以计算。各参量对Tp 的影响也可以得出。

石榴石磁泡膜饱和磁化强度的两种测量方法

用振动样品磁强计（ＶＳＭ）测量了石榴石磁泡膜的饱和磁化强度Ｍ，并与用磁光法测量的结果进行了比较．发现用两种方法测得的Ｍ随温度的升高而下降的趋势存在着明显的差别，用ＶＳＭ测得的下降趋势缓慢，用磁光法测得的下降趋势迅速．这就引出一个问题：与磁光法测量Ｍ有关的理论可能存在着不足．

石榴石磁泡膜中3类硬磁畴的形成方法

研究石榴石磁泡膜中硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的稳定性可为研制布洛赫线存储器提供有益的帮助 .3类硬磁畴的形成是研究硬磁畴稳定性的前提 .本文综述了在石榴石磁泡膜上形成硬磁畴的 2类方法———“脉冲偏场法”和“低直流偏场法” .结合文献中的典型样品 ,对用“脉冲偏场法”和“低直流偏场法”形成 3类硬磁畴的过程进行了简单介绍 .

光学薄膜参数、测试及设备

D484.1 96010437石榴石单晶膜的生长与应用分析=Analysis on thegrowth and applications of single crystal gar-net films[刊,中]/匡轮,任绪才(航天工业总公司2院23所)∥人工晶体学报。—1995,24(3)。—232—237通过对石榴石单晶膜生长的分析,在研究总结大量前人工作的基础上,首次提出"等效参量"

信息存储磁光材料研究进展

一、信息存贮技术的发展与信息存贮材料的研究开发具有极密切的关系。光盘数据存储是计算机存储技术的主要发展方向。由稀土一过渡族合金(RE—TM)元素组成韵非晶薄膜作为磁光记录材料,具有大的垂直磁各向异性和矫顽力,合适的居里温度和稳定的磁畴结构,足够大的 Kerr 转角,从而可以利用科尔和法拉第效应读出信息。

直流偏场和面内场作用下ID畴壁中VBL链的消失

研究了直流偏场和面内场联合作用下第 类哑铃畴畴壁中 VBL链的消失 ,即软化过程 .实验发现 ,当直流偏场 Hb>Hsb′时 ,第 类哑铃畴的起始软化面内场 (Hip) OHB和临界面内场 Hip′的数值都比不加直流偏场时的数值低 。

面内场对处于直流偏磁场压缩状态下的IID畴壁中布洛赫线链的影响

实验研究了面内场Ｈｉｐ对处于直流偏场Ｈｂ压缩状态下ＩＤ畴壁中的垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链的影响．发现存在一个阈值直流偏场（Ｈｂ）ｔｈ，当Ｈｂ＜（Ｈｂ）ｔｈ时，使ＩＤ开始转变为ＩＤ、ＯＨＢ和ＳＢ的临界面内场（Ｈｉｐ）ＩＤ、（Ｈｉｐ）ＯＨＢ、（Ｈｉｐ）ＳＢ以及使ＶＢＬ全部解体的临界面内场Ｈ′ｉｐ与Ｈｂ无关．当Ｈｂ＞（Ｈｂ）ｔｈ时。

温度对ID畴壁内VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第I类哑铃畴(ID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,从室温到T0范围内的任一不同温度下,ID畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[H(1)ipip(T)<Hip<H(2)ip(T),H(2)ip(T)],当Hip<H(1)ip(T)时,ID畴壁中VBL数目不变;当H(1)(T)时,ID畴壁中VBL逐渐丢失,且随面内场Hip的增大,VBL丢失得越来越多;当Hip>H(2)ip(T)时,VBL完全丢失.面内场范围[H(1)ip(T)也分别随温度的升高ip(T),H(2)ip(T)]随温度的升高而减小,其中H(1)ip(T),H(2)而变小,并分别在T(1)0和T0处减小为0.