氮化硅陶瓷球研磨液的机理研究

氮化硅陶瓷球是混合轴承中的关键元件,对于氮化硅陶瓷球的研磨加工,研磨液的选用是获得高质量加工表面的关键因素之一。文中简述了陶瓷球的特性和成球原理,理论分析了陶瓷球在研磨加工过程中的材料去除理论。对研磨液的成分及作用进行分析,对研磨液的作用机理进行分类,为配制氮化硅陶瓷球专用研磨液提供理论基础。

固结磨料研磨蓝宝石单晶过程中研磨液的作用

开展了固结磨料研磨单晶蓝宝石面板的实验研究,探索了不同研磨液对材料去除速率和工件表面质量的影响。分析了研磨液对蓝宝石表面的化学作用,探索了固结磨料研磨蓝宝石晶体的材料去除机理。实验显示:使用W14镀镍金刚石固结磨料研磨蓝宝石单晶,研磨液仅为去离子水时,材料去除率(MRR)为149.8nm/min、表面粗糙度(Ra)为76.2nm;而研磨液中加入2%的乙二醇后,相应的MRR为224.1nm/min,Ra为50.7nm。用光电子能谱仪(XPS)分析了工件表面,结果表明含有乙二醇的研磨液能够增加蓝宝石工件表面的活性。得到的结果显示:在溶液中加入乙二醇有利于表面软化层的生成并增加蓝宝石表面的活性,说明研磨液对蓝宝石单晶研磨效率的提升和表面质量的改善具有促进作用。

硅单晶片研磨液的研究

论述了研磨液在硅单晶片加工中所起的重要作用以及当今国内外研磨液的发展状况 ,通过实验研究有效地解决了目前研磨液存在的悬浮、金属离子的去除及表面颗粒吸附问题 ,并对研磨液的污染及其净化处理进行了分析。

硅片研磨表面状态的改善和研磨液的改进

在硅片研磨过程中,由于应力的积累和剧烈的机械作用,硅片表面损伤严重,碎片率增加。介绍了一种改进的研磨液,不但把剧烈的机械作用转变为比较缓和的化学-机械作用,还能起到其他较好的辅助作用并对其各成分作用,进行了理论分析。硅片表面状态得到了一定程度的改善,提高了生产效率。

研磨液对440c不锈钢磁力研磨效果的影响

分别以46#机械油和煤油对440c不锈钢表面进行磁力研磨。通过正交试验对研磨加工的工艺参数进行优化,从表面粗糙度、基体质量损耗、三维表面形貌等方面对比研究了上述2种研磨液对不锈钢表面光整效果的影响。结果表明,以机械油为研磨液时的光整效果更好,磁力研磨的最佳工艺条件为:主轴转速2 500 r/min,加工间隙1.8 mm,进给速率60 mm/min,磨料填充量2.0 g。在最佳工艺条件下研磨后,工件的表面粗糙度由0.381μm降至0.032μm,大量毛刺和划痕得以去除,镜面效果良好。

多丝切割加工中研磨液的运动分析

多丝切割加工机理的研究多以单磨粒的"滚—刻"和硬脆材料的崩裂切除为推论,以"滚—刻"、"滚—刻—削"混合加工模型描述实际的多丝切割加工过程。文章认为切割加工的关键在于研磨粒,而研磨粒的综合力学行为在相当程度上取决于硅碇和金属丝之间研磨液的流体力学行为。基于加工区域研磨液的的运动分析,研磨液的速度分布支持磨粒滚动的假设,研磨液流体的动压力(剪切力)的分布支持磨粒磨削切割的存在。文章的结论支持"滚—刻"、"滚—刻—削"混合模型的切割加工机理。

半导体硅材料研磨液研究进展

随着IC制造技术的飞速发展,为了增加IC芯片产量和降低单元制造成本,硅片逐渐趋于大直径化,然而为了满足IC封装的要求,芯片的厚度却在不断的减小。因此,对硅片加工的表面质量提出了更高的要求。文章详细说明了硅片研磨机理及工艺条件;重点阐述了在半导体硅片的研磨过程中研磨液的组成及各个组分的作用;并介绍了国内外研磨液的发展现状,指出了其优缺点;最后强调了研磨液开发的重要性。

新型蓝宝石加工用高效水基金刚石研磨液的性能比较

为提高研磨液加工效率,改进工件表面加工质量,采用表面改性技术、助剂复配技术、超声分散技术,制备了一种蓝宝石加工用高效水基金刚石研磨液。使用该研磨液对蓝宝石进行研磨加工,可实现材料去除速率1.35μm/min、表面粗糙度值Ra16nm、表面无明显划痕等优异研磨加工效果。将自制的研磨液与同类研磨液产品的使用性能进行对比分析,结果表明:自制的金刚石研磨液在材料去除速率、加工后工件表面粗糙度值Ra以及表面划痕方面均优于其他同类产品。

硅片研磨和研磨液作用的分析

介绍了硅片的研磨过程和研磨液的作用,对国内主流研磨液进行了简单的介绍,分析了它们的优缺点。对研磨液中活性剂的机理进行了深入研究、解释了活性剂的分子结构对其性质的影响,提出只有从分子结构入手选用活性剂才能起到更好的悬浮和降低表面张力的作用。

光纤连接器超声研磨及研磨液实验研究

分析研究了超声波研磨所特有的研磨机理。并在此基础上通过实验比较了不同研磨液对纤芯及端面粗糙度的影响,结果显示用1μm的金刚石砂纸水磨后所得到的纤芯及端面粗糙度比油磨后的效果好,但随之用0.5μm的金刚石砂纸水磨后的效果却没有油磨好。

研磨液对陶瓷球耐磨性影响的实验研究

本文利用往复式和微幅式摩擦磨损实验机，在陶瓷球和轴承钢构成的运动副间加入不同的研磨液，对陶瓷球在不同研磨液时的摩擦磨损性能进行了实验研究，实验结果为陶瓷球研磨加工过程中不同阶段研磨液的选择提供了数据。

酸性研磨液对铝合金固结磨料研磨特性的影响

针对研磨液特性对铝合金材料固结磨料研磨过程的影响,引入了3种酸性(磷酸、冰乙酸、乳酸)研磨液,对铝合金试样的固结磨料研磨效果进行了实验研究,提取了铝合金试样的材料去除率、表面粗糙度值及微观形貌等。研究结果表明,铝合金试件表面的材料去除主要为磨粒的机械作用,不同酸腐蚀下铝合金试样表面的材料硬度特性不同,致使其研磨效果存在差异,冰乙酸作用下试样表面的材料去除率最大,而乳酸作用下试样表面的质量最高。磷酸与铝合金作用能生成更易去除的化合物,为此研磨液浓度增大后材料的去除率值增加,表面质量变差,冰乙酸与乳酸的效果相反。研究成果可以为固结磨料研磨技术的发展提供理论参考。

高效自动碳化硅研磨液过滤搅拌循环系统的设计与研究

针对一种光纤研磨机的碳化硅研磨液过滤搅拌循环系统存在的生产效率低、人工成本高、操作不方便、碳化硅研磨液易沉淀、易污染等问题,从光纤研磨机的外部结构、机械传动、自动搅拌系统等方面进行设计改进,从而使该光纤研磨机能实现研磨液自动搅拌循环,提高研磨液的利用率,减少杂质,减少人工,使研磨液时刻处于最优的使用状态,使设备得到更进一步的性能改善,还能够清除研磨液中混合的各种杂质,提高了研磨液的利用率和经济效益。

二氧化铈研磨液在化学机械平坦化中的应用

当集成电路的特征尺寸小于0.25μm时,浅沟道隔离(STI)逐渐成为CMOS工艺器件隔离的标准工艺技术。相比较于硅石(silica)研磨液,二氧化铈(CeO2)研磨液由于其比较高的研磨速度、高的选择比和自动停止的特性,而广泛地应用于直接的浅沟道隔离(DSTI)化学机械平坦化(CMP)工艺中。在简要介绍了CMP的一些基本知识后,着重介绍了CeO2研磨液的特性及其在直接的浅沟槽隔离化学机械平坦化(DSTI-CMP)中的应用。

磨粒流研磨液颗粒特性的耗散粒子动力学数值模拟

采用了耗散粒子动力学(DPD)模拟方法,选取三种常用的磨粒晶胞团簇模型进行DPD仿真模拟,建立三种晶胞团簇模型、得到DPD条件下的温度、压力及晶格坐标下压力张量及压力差异系数等的变化趋势,结果发现碳化硅磨粒压力及温度变化性质都较稳定,力学性能最好;进一步对碳化硅磨粒晶胞团簇模型分析,得到稳定状态后的压力为22.6Pa,温度为1.0KT。

高悬浮性β-SiC研磨液制备工艺研究

碳化硅具有优异的磨削性能,但其研磨液悬浮性一直未得到改善。选用β-SiC微粉,通过沉降实验和显微观察,研究了增稠剂黏土和羧甲基纤维素钠,分散剂四甲基氢氧化钠和聚乙二醇,以及pH值对研磨液悬浮性的影响。结果表明:加入增稠剂可明显提高研磨液的悬浮性,增稠剂和分散剂添加的顺序不同则对悬浮液性能影响不同。在黏土质量分数为3%,羧甲基纤维素钠质量分数为0.3%,pH=8时研磨液零沉降,悬浮性最好。

半导体研磨液的研究及应用

研磨是半导体加工过程中的一项重要工艺,它主要是应用化学研磨液混配磨料的方式精密而高效的对半导体表面进行加工,研磨液是影响半导体表面质量的重要因素。本文着重对研磨液的机理、研究开发现状、应用展望进行探讨。

工程陶瓷精密加工研磨液的研究应用现状与展望

简述用于工程陶瓷精密加工的研磨液主要成分及其作用,综述了近年来国内外工程陶瓷精密加工研磨液的发展现状,通过对加工中金刚石研磨抛光液、磁流变液以及化学机械抛光液等应用的各方面特征总结,得出影响研磨液的因素有磨料和添加剂,指出工程陶瓷精密加工研磨液未来应向环保化、精细化方向发展,对工程陶瓷精密加工有深远意义。

EH系列水性石英晶体研磨液

本文介绍了两种国内最新研制成功的水性石项晶体研磨液，ＥＨ－０５型可用着普通自来水稀释３０倍使用于３Ｂ，４Ｂ，６Ｂ型研磨机。ＥＨ－２０型可悬浮Ｗ１４－Ｗ４０号大粒径磨料，完全替代ＰＣ油。用于６Ｂ，９Ｂ型研磨机，使用时可加普通自来水一倍稀释。

硅片研磨液的研究

伴随着IC制造技术的迅猛发展,IC技术已经渗透到我们生活的各个角落。为了满足IC封装的要求,芯片的厚度不断降低。因此对硅片表面的质量有个更高的要求。介绍了硅片的研磨过程和研磨液的作用,对国内主流研磨液进行了简单的介绍,分析了它们的优缺点。