毫米波单片混频器的研制

采用0．18μm GaAs PHEMT工艺，设计和研制了34-40GHz毫米波单片混频器。该混频器选择了单平衡结构．采用180°电桥结构改善LO—RF的隔离度，并修改了该结构以方便布版。在39GHz频点上，该混频器的插入损耗小于7．2dB、LO—RF隔离度大于32dB。

10Gb/s GaAs PHEMT光接收机前置放大器

简要分析了光接收机分布式前置放大器所具有的宽带优势,研制出了一种利用南京电子器件研究所0．5μm标准GaAs PHEMT工艺实现的10 Gb/s分布式前置放大器。该前置放大器采用损耗补偿技术,由七个共源共栅级联的单元组成,测试结果表明,该分布式前置放大器可以工作在10 Gb/s速率上。