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在(311)面上所生长的Al_xGa_(1-x)As/GaAs单量子阱特性
1
作者
张福甲
虎志明
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第2期129-134,共6页
文章报道了用分子束外延(MBE)法在600℃和650℃下,在Si掺杂的GaAs衬底的(311)A和(311)B面上成功地生长了高质量的AlxGa1-As/GaAs单量子阱材料。计算了光荧光(PL)峰值能量,并与实验作...
文章报道了用分子束外延(MBE)法在600℃和650℃下,在Si掺杂的GaAs衬底的(311)A和(311)B面上成功地生长了高质量的AlxGa1-As/GaAs单量子阱材料。计算了光荧光(PL)峰值能量,并与实验作了比较。讨论了(311)A和(311)B面上的不同生长特性。
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关键词
单量子阱
特性
砷
化
镓
(
311
)
面
下载PDF
职称材料
题名
在(311)面上所生长的Al_xGa_(1-x)As/GaAs单量子阱特性
1
作者
张福甲
虎志明
机构
兰州大学物理系
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第2期129-134,共6页
文摘
文章报道了用分子束外延(MBE)法在600℃和650℃下,在Si掺杂的GaAs衬底的(311)A和(311)B面上成功地生长了高质量的AlxGa1-As/GaAs单量子阱材料。计算了光荧光(PL)峰值能量,并与实验作了比较。讨论了(311)A和(311)B面上的不同生长特性。
关键词
单量子阱
特性
砷
化
镓
(
311
)
面
Keywords
Oriented GaAs Substrate, Single Quantum Well, Properties of Growth
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
在(311)面上所生长的Al_xGa_(1-x)As/GaAs单量子阱特性
张福甲
虎志明
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1994
0
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职称材料
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