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Ka波段5W GaAs PHMET功率MMIC
被引量:
6
1
作者
陶洪琪
张斌
林罡
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期351-355,共5页
报道了一款采用0.15μm GaAs功率MMIC工艺研制的Ka波段功率放大器芯片。芯片采用四级放大拓扑结构,在29~32GHz频带范围内6V工作条件下线性增益25dB,线性增益平坦度小于±0.75dB;饱和输出功率大于5W,饱和效率大于20%,功率增益大于22...
报道了一款采用0.15μm GaAs功率MMIC工艺研制的Ka波段功率放大器芯片。芯片采用四级放大拓扑结构,在29~32GHz频带范围内6V工作条件下线性增益25dB,线性增益平坦度小于±0.75dB;饱和输出功率大于5W,饱和效率大于20%,功率增益大于22dB;1dB压缩点输出功率大于36.5dBm,效率大于18%。
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关键词
砷化镓功率放大器
KA波段
微波单片集成电路
下载PDF
职称材料
题名
Ka波段5W GaAs PHMET功率MMIC
被引量:
6
1
作者
陶洪琪
张斌
林罡
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期351-355,共5页
文摘
报道了一款采用0.15μm GaAs功率MMIC工艺研制的Ka波段功率放大器芯片。芯片采用四级放大拓扑结构,在29~32GHz频带范围内6V工作条件下线性增益25dB,线性增益平坦度小于±0.75dB;饱和输出功率大于5W,饱和效率大于20%,功率增益大于22dB;1dB压缩点输出功率大于36.5dBm,效率大于18%。
关键词
砷化镓功率放大器
KA波段
微波单片集成电路
Keywords
GaAs power amplifier
Ka band
MMIC
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN722.75 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ka波段5W GaAs PHMET功率MMIC
陶洪琪
张斌
林罡
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012
6
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职称材料
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