东北砷化镓单晶片及抛光片项目年底竣工投产

由黑龙江省大型民营企业锐普集团投资兴建的股份制企业——大庆佳昌科技有限公司集成电路用砷化镓单晶片及抛光片高技术产业化项目厂房建设及主体设备安装已于日前完成。据悉，项目的首期工程将于年底竣工投产。

非掺半绝缘LEC-GaAs晶片热处理工艺研究

为了获得高质量半绝缘砷化镓单晶片 ,有必要降低微缺陷密度。开展了晶片热处理工艺的研究 ,确定了晶片热处理的温度、时间、降温速率等一系列工艺参数 ,证实了采用此项工艺能降低LEC GaAs晶片的砷沉淀密度 ,即AB EPD ,同时也保证了晶片的电学参数不受影响。通过对晶片热处理工艺过程和结果进行分析 ,给出了晶片热处理工艺理论模型的解释。