光电动态检测系统砷化镓合金光源特性研究

本文给出光电动态检测系统的最近发展,特别对该检测系统采用的砷化镓合金光源特性进行了实验研究。给出精于纳秒量级的时间响应和较好的光谱特性,对光源的发光效率和光强—驱动电压关系作了研究。对光电元器件作了实际的光电动态检测,并检验了新发现的“Si/Ge异结并接效应”[1]

GaAs_(1-x)P_x:EL2(x=0～0.08)光猝灭截面谱的温度依赖性

对实测ＧａＡｓ１－ｘＰｘ合金（ｘ＝０，０．０４和０．０８）三个样品中ＥＬ２中心的光猝灭截面谱σ＊（ｈν）的温度依赖性进行了研究．随温度（Ｔ）由～４０Ｋ升至～１００Ｋ，三个样品的谱峰位均有红移；峰高Ｉｐ增高，增高速度随ｘ增大而减小．σ＊（ｈν）谱可近似拟合为两个高斯型成分的叠加．以上结果支持关于ＥＬ２０／＋中心存在两个激发态（ｅ１，ｅ２）的论点．解谱结果表明：０Ｋ时ｅ１和ｅ２的能级外推值ｅ１（０）＝１．０１６ｅＶ，ｅ２（０）＝１．０４６ｅＶ与ｘ值无关．