无损检测磷化铟与砷化镓基材料直接键合结构质量的方法

编号：0506227 该发明专利提供了一种无损检测Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体InP与CaAs基材料的直接键合结构质量的方法。

氮化镓材料专利计量分析及启示

氮化镓（Gallium Nitride，GaN）基半导体材料是继硅和砷化镓基材料后的新一代半导体材料，被称为第3代半导体材料。氮化镓材料由于具有禁带宽度大、击穿电场高、介电常数小、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等独特的特性，在光电子器件和高温、高频大功率电子等微电子器件领域有广阔的应用前景。

GaAs基分子束外延材料的市场和产业化

评述了当前高速发展的信息技术对化合物半导体的市场 ,特别是对分子束外延材料市场的推动。介绍了实验室研制的高性能 MBE二维材料及其器件的应用结果。讨论了我国 MBE Ga

我国MBE GaAs基材料如何从实验室走向产业化

以分子束外延 (MBE)GaAs基微结构材料为基础制作的HEMT ,PHEMT等器件在信息产业中已广泛应用 ,在国外并已进入产业化。 2 0世纪 80年代中期以来 ,中科院半体所研制的MBEGaAs基材料 ,已被成功地用于制备出一系列新型半导体器件 ;其HEMT ,PHEMT微结构材料的实用化性能指标已经基本达到国际一流产品的水平 ;并对MBEGaAs材料如何走向产业化进行了探讨。

半导体所研制成功氮化镓基激光器

中科院知识创新工程重要方向项目“氮化镓基激光器（KGCX2-SW-115）”于2007年11月26日通过专家验收。 氮化镓基半导体材料是继硅和砷化镓基材料后的新一代半导体材料，被称为第3代半导体材料，它具有宽带隙、优异的物理性能和化学性能，在光电子领域具有广泛的应用前景和研究价值。用氮化镓基半导体材料研制成的氮化镓基激光器在国防安全领域和光信息存储、激光全色显示、激光打印、大气环境检测、水下通信、双色激光探测等领域具有重要的应用价值。

半导体所研制成功氮化镓基激光器

中科院知识创新工程重要方向项目“氮化镓基激光器（KGCX2-SW-115）”通过了专家验收。氮化镓基半导体材料是继硅和砷化镓基材料后的新一代半导体材料，被称为第三代半导体材料，它具有宽的带隙，优异的物理性能和化学性能，在光电子领域具有广泛的应用前景和研究价值。用氮化镓基半导体材料研制成的氮化镓基激光器在国防安全领域和光信息存储、激光全色显示、激光打印、大气环境检测、水下通信、双色激光探测等领域具有重要的应用价值。

Study of metamorphic InGaAs/GaAs quantum well laser materials grown on GaAs substrate by molecular beam epitaxy

The GaAs based InGaAs metamorphic structures and their growth by molecular beam epitaxy (MBE) are investigated. The controlling of the source temperature is improved to realize the linearly graded InGaAs metamorphic structure precisely. The threading dislocations are reduced. We also optimize the growth and annealing parameters of the InGaAs quantum well (QW). The 1.3-μm GaAs based metamorphic InGaAs QW is completed. A 1.3-μm GaAs based metamorphic laser is reported.