S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能

对WC76型S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能作了介绍。文中给出了测试振荡器的设计。测试结果表明,WC76型振荡管在s频段的微波性能良好,振荡频率在3GHz左右时,输出功率可达3.5w,直流—射频转换效率可达44％,而且在2～4GHz的整个S频段均能满意地工作。

C波段4W砷化镓功率场效应晶体管

介绍了Ｃ波段４Ｗ砷化镓功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些新工艺，给出器件性能。在５．３ＧＨＺ下，器件１ｄＢ压缩点的输出功率≥４Ｗ，增益为６．５～７．５ｄＢ，功率附加效率≥３５％。这种ＦＥＴ的多芯片运用具有优良的功率合成效率。

C频段内匹配砷化镓功率场效应晶体管

采用离子注入、多层欧姆接触金属结构、干法刻蚀、г形栅、空气桥、通孔接地和电镀热沉等先进技术，在直径５０ｍｍＧａＡｓ片上制作了总栅宽为９．６ｍｍ的功率场效应晶体管芯片。用４枚这种芯片并联，在其输入端和输出端分别加入内匹配电路，制成了Ｃ频段内匹配功率场效应晶体管。在大于５００ＭＨｚ的带宽内，１ｄＢ增益压缩输出功率达１８Ｗ，１ｄＢ压缩增益为８．３ｄＢ，功率附加效率达３０％。

砷化镓 金属—半导体场效应晶体管的二维数值分析

本文叙述用有限元方法对工作在导带的 GaAs MESFET's 器件进行二维稳态模拟的程序.用三角形单元不均匀网格剖分的程序,能局部加密,优化结点编码,缩小带宽;对基本方程离散采用改进的电荷浓缩法和有限元——有限差分混合法;方程求解采用藕合法,偏压步长大,计算速度快.

高增益、高栅-漏击穿、低噪声微波砷化镓场效应晶体管

本文简要介绍了CX502N型微波砷化镓场效应晶体管的设计、特性与制造。器件采用了新的“积木式”台面结构,减小了栅-漏反馈电容。测试表明,器件具有高增益、高栅-漏击穿及低噪声特性。此外,文中还给出了与CX502N GaAs MESFET类似的器件CX503 GaAs MESFET的一些结果。

砷化镓功率场效应管早期烧毁的失效分析

采用扫描俄歇微探针、扫描电子显微镜、电子探针微区分析仪和Ｘ射线透射仪等多种分析手段分析了一种Ｃ波段砷化镓功率场效应管早期烧毁失效的现象。初步建立了烧毁失效的模式，给出了相应的失效频数分布及其表面形貌状态。分析结果指出，烧毁失效模式中源一漏烧毁占较大的比例；其次是由于材料及器件制备工艺过程不完善而引起的空气桥烧毁，热斑烧毁，源或漏极条边缘毛刺、芯片表面缺陷、沾污和不可动多余物引起的烧毁失效。文章就烧毁失效的机理进行了分析和讨论。

用于移动通信的砷化镓高频PHEMT小功率晶体管

砷化镓PHEMT功率器件具有工作频率高,输出功率密度大,效率高,功率增益高等特点。我们研制的0.5μm栅长GaAs PHEMT小功率晶体管,栅宽1mm,直流跨导250ms/mm,栅漏反向击穿电压大于13V,在20GHz下最大可用增益为8dB,X波段输出功率为0.8W/mm,可应用于22GHz以下的窄带功率放大器和18GHz以下的宽带功率放大器。

微波GaAs功率场效应晶体管烧毁机理的研究：Ⅱ．射频烧毁

采用扫描电镜（ＳＥＭ）和扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）对国内研制开发的微波ＧａＡｓ功率ＦＥＴ芯片在射频测试中的烧毁进行了分析研究。探讨其烧毁机理及物理过程。

C波段GaAs功率场效应晶体管可靠性快速评价技术

叙述了一种快速评价ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管的方法——高温加速寿命试验，利用该方法对Ｃ波段ＧａＡｓ功率场效应晶体管ＤＸ００１１进行可靠性评估。在偏置Ｖ＿（ＤＳ）＝８Ｖ，Ｉ＿（ＤＳ）＝３７５ｍＡ，沟道温度Ｔｃｈ＝１１０℃，１０年的失效率λ≈２７ＦＩＴ。其主要失效模式是Ｉ＿（ＤＳＳ）退化，激活能Ｅ＝１．２８ｅＶ。

通信卫星用GaAs微波场效应晶体管的可靠性快速评价技术

一、引言 GaAs微波场效应晶体管是通信卫星转发器中的关键器件,除了电性能指标要求高以外,还要求高可靠、长寿命。目前,国际上大型通信卫星都装有十几个C波段和Ku波段转发器,要求在轨寿命为十五年。若采用常规的可靠性定级试验方法,需要投入大量的器件和很长的试验周期。例如,对CX562器件过去进行过六级失效率定级试验,投入458只器件,试验2000h,连续工作了三个月以零失效通过,当时样品费和试验费需要几十万元,费用极其昂费。

通信卫星用GaAs微波场效应晶体管可靠性快速评价技术

叙述了一种快速评价ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管可靠性的方法， 利用该方法对ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管ＣＸ５６２

微波GaAs场效应晶体管静电失效的机理及提高其抗静电的措施

本文对微波小功率GaAs场效应晶体管的静电失效机理进行了分析.文中对两种静电失效模式(电压型强电场失效和功率型大电流失效)分别进行了分析和阐述.针对GaAs场效应晶体管的失效机理提出了改进措施.

GaAs场效应微波功率器件稳态热场分析的等效结构模型

提出了用于计算ＧａＡｓ场效应微波功率器件峰值沟道温度的等效结构模型．其中底座与芯片等截面的等效厚度处理和多胞单胞化处理，使计算工作量下降约二个数量级．计算的峰值沟道温度与修正（包括了胞内热场分布影响、胞间热场分布影响和瞬态冷却过程影响）后的电学法测量值的差别约为３℃．

用于制作场效应晶体管的砷化镓的电解腐蚀及电子迁移率

本文介绍了n型砷化镓的电解腐蚀技术,此工艺用来制作场效应晶体管管芯片,可把较厚的并且不均匀的材料腐蚀成均匀的外延薄层。用这种方法制备的薄外延层样品的霍耳效应测量表明,对于减薄到2100埃厚的外延层,其迁移率与砷化镓材料体迁移率的理论值相同。对复盖有阳极氧化物的外延层进行霍耳效应测量表明,氧化层界面俘获的电荷密度是3.9×10^(11)电子/厘米~2,比外延层生长后的表面电荷密度值大。

11和14千兆赫低噪声砷化镓场效应晶体管放大器

采用亚微米栅砷化镓场效应晶体管(NEC V-388)研制成11和14千兆赫低噪声放大器。两级放大器实现的最小噪声系数,在11.2千兆赫时为4.2分贝,14千兆赫时为5.7分贝。该放大器将用作接收机前置级。它由未封装的砷化镓场效应晶体管管芯与制作在兰宝石衬底上的薄膜微带输入和输出电路组成。本文介绍了这类放大器的设计、结构和性能。

5GHz 30W GaAs功率场效应晶体管

大功率高效率的GaAs场效应晶体管对雷达和数字通信系统中的放大器都是很重要的。输出功率20W的C波段GaAs功率FET已进入商用阶段。最近日本东芝公司微波固体部门报道了一种5GHz频带下输出功率大于30W的多芯片内匹配GaAs场效应晶体管。

砷化镓E波段高功率单片微波集成电路问世

美国诺思罗普·格鲁曼公司研发出2款砷化镓E波段微波单片集成电路（MMIC）高功率放大器——APH667和APH668，将显著减少获得更高输出功率所需的器件数量，简化产品结构，提升产品性能。这2款产品将于2013年实现量产。

砷化镓PHEMT功率管高温加速寿命试验研究

通过解决温度提升、温度稳定控制、寄生振荡抑制等关键问题,使砷化镓PHEMT功率器件的高温加速寿命试验得以实施。经过2 832h试验,三个分组的样品均出现了失效。对样品的失效模式与机理进行了分析,并确定了失效原因。对试验数据进行分析得到了该器件的寿命分布与寿命加速特性,并对分析结论进行了验证。

調制摻杂場效应晶体管的研制与測試

对(Al,Ga)As/GaAs调制掺杂场效应晶体管MODFET进行了设计、研制与测试。利用国产分子束外延系统(MBE)获得的異质结材料,采用尚未报导的部分工艺,同时研制成功耗尽型、增强型的MODFET、直流跨导典型值在90-135mS/mm。对耗尽型MODFET进行了微波测试。在4GHz下,最小噪声系数为2.49dB,最大功率增益为10.2dB,在国内尚未见到类似报导。