一种用于砷化镓晶圆级堆叠的工艺技术

随着电子系统对多功能、小型化要求的不断提高,将数字控制电路、移相器、低噪声放大器等砷化镓微波集成电路(MMICs)进行3D集成是解决问题的方向。为此,设计具有数百个互连点的孔链测试结构模拟上下两层电路互连,采用砷化镓穿孔技术将正面互连压点转移到背面,研究适用砷化镓薄片的晶圆级键合技术,开发出两片式砷化镓面对背的晶圆级堆叠工艺技术,堆叠成品率达到90%以上。利用这项工艺,将砷化镓数字电路堆叠到低噪声放大器芯片上,形成了Ka波段幅相多功能电路,测试在32~38 GHz频段内,接收端增益大于21.5 dB,噪声小于4 dB,移相精度小于4°;发射端增益大于23 dB,输出功率大于25 dBm(输入功率10 dBm),移相精度小于4°。

基于砷化镓光纤技术的变压器绕组热点温度监测

变压器绕组温度的控制监测对于电力系统的正常运行与处理是十分关键的,一定程度上会影响电力系统的工作质量和效率。因此,对基于砷化镓光纤技术的变压器绕组热点温度监测分析,进行光纤光栅温度监测目标的设定,构建多目标集成砷化镓光纤热节点监测结构,设计FBG砷化镓光纤热点温度监测模型,采用间接光纤测量法实现变压器绕组热点温度监测。通过测试结果表明:与传统的增压绕组热点温度监测小组和传统绕组数据驱动绕组热点温度监测小组相对比,所设计的砷化镓光纤绕组热点温度监测小组在实际应用的过程中监测的响应速度更快,温度控制监测的误差更小,具有实际的应用价值。

美国赛捷公司推出新款Ka波段氮化镓增频变频器

美国赛捷卫星通信公司推出新款20W大功率线性Ka波段增频变频器产品。 氮化镓固态技术可使器件的功率消耗和尺寸比广泛使用的基于砷化镓技术生产的器件大幅减小,且不会降低器件的射频性能和可靠性。该20W氮化镓线性Ka波段增频变频器是目前氮化镓增频变频器市场上体积最小、重量最轻的产品，能够提供最高的线性度。

GaAs技术在移动通信中的应用

首先介绍了当前移动通信的发展概况，进而阐述了移动通信对半导体器件的要求、ＧａＡｓ技术在移动通信领域中的应用，最后主要介绍了开发应用的具体实例。

阿尔塔设备发布Gen4太阳能电池技术

阿尔塔设备公司宣布发布第4代太阳能电池技术（Gen4），该产品是一款轻量化的柔性太阳能电池，制造时采用了单结砷化镓技术。

TriQuint推出创新TriAccess^TM放大器

TriQuint半导体公司开始提供两款创新设计的TriAccess^TM放大器——TAT6281和TAT2814A，旨在为有线电视系统提供更完善的多种产品。TriQuint的新元件建立在经市场考验的砷化镓技术基础上，兼顾更多功能、更高效率和性价比等特点。

Opti Max2000光纤深化光站

美国西科公司推出Opti Max2000光纤深化光站．将先进的RF和光学技术集于一身。当输入光功率为-6dBm时．它的RF输出电平为109dBμV（49dBmV）。这样．可允许更长的光链接损耗．使光节点更深入HFC网络。该产品的设计基于3个原则：成本效益、可扩展性和高可靠性。光站采用先进的砷化镓技术．使系统的性能得以提高，采用插入式双工滤波器．使光站很容易升级更新。

Flex Max系列射频放大器

西科公司推出的Flex Max系列射频放大器结合TL(Transfer Linearization)技术和砷化镓技术，将射频放大器技术提高到一个全新水平：

Photoluminescence properties of ZnSe_(1-x)Te_x thin films on GaAs/ITO substrates by electron beam evaporation technique

Zinc chalcogenide which includes zinc selenide,zinc sulphide,zinc telluride and mixed crystals of these shows a great potential as an optoelectronic device material. Zinc selenotelluride is a suitable material for visible light emitting devices which are expected to cover the spectral range from yellow to blue. In our present study the composition controlled ZnSe1-xTex films with different Te content x = 0,0.2,0.4,0.6,0.8 and 1.0 were deposited by electron beam (EB) evaporation technique. GaAs films were deposited by vacuum evaporation route on indium tin oxide (ITO) substrates which were used as base for depositing the ZnSe1-xTex film. The band-gap energy change in the entire composition range was determined at room temperature by photoluminescence (PL) spectroscopy. The peak observed at about 2.56 eV shows the effect of solid solution formation between ZnSe and ZnTe which modifies the lattice and consequently the band edge emission characteristics. The heterostructures showed three peaks in the visible region of white light spectrum.