激光辅助水射流加工砷化镓晶片微槽的实验研究

对干激光、低压水射流辅助激光和激光辅助水射流技术加工砷化镓晶片微槽进行了对比实验,结果表明,激光辅助水射流技术适合加工砷化镓材料,它能够加工出晶片表面无污染、大深度、小热影响区宽度、大深宽比的高质量微槽,加工表面微观形貌均匀、微裂纹少,优于其他两种加工方式。实验研究了激光辅助水射流加工砷化镓晶片微槽的切割性能,结果表明,加工参数(激光脉冲能量、水射流压力、加工速度、水射流倾斜角度、焦平面位置和加工次数)对微槽深度、微槽宽度和材料去除率具有显著影响。微槽深度、微槽宽度和材料去除率随着激光脉冲能量的增大而增大,随着水射流压力的增大而减小,材料去除率随着加工速度的增大而显著增大。

TEM观察砷化镓晶片损伤层

用透射电镜、扫描电镜对ＧａＡｓ材料加工工艺中的表面损伤层进行了观察和检测。结果切片损伤层深度≤５０μｍ、双面研磨损伤层深度≤１５μｍ、机械化学抛光损伤层深度（腐蚀前）＜１．２μｍ。分析了损伤结构及其引入的因素。

大偏角半导体级激光器用砷化镓晶片清洗方法

采用常规的碱性清洗液清洗大偏角半导体级激光器用砷化镓晶片,外延后会出现几万颗缺陷点。清洗完成后的晶片用X射线光电子能谱(XPS)分析,发现其氧化层中氧化镓的相对含量较大,晶片表面氧化物含量相对较少。针对该问题提出了解决办法,即在普通碱性清洗液之后,通过添加酸性清洗液来增加氧化层的厚度,从而调整氧化镓的含量,最终达到减少外延后异常点的目的。

美研发出砷化镓晶片批量生产技术

据海外媒体报道，美国伊利诺伊大学等机构的研究人员近日研发出一种可批量生产砷化镓晶片的技术，克服了成本上的瓶颈，从而使砷化镓这种感光性能比硅更优良的材料有望大规模用于半导体和太阳能相关产业。

美研发出砷化镓晶片批量生产技术

据海外媒体报道，美国伊利诺伊大学等机构的研究人员近日研发出一种可批量生产砷化镓晶片的技术，克服了成水上的瓶颈，从而使砷化镓这种感光性能比硅更优良的材料有望大规模用于半导体和太阳能相关产业。

低成本砷化镓晶片批量生产技术

砷化镓是一种感光性能比当前广泛使用的硅更优良的材料,理论上它可将接收到的阳光的40%转化为电能,转化率约是硅的两倍,因此卫星和太空飞船等多采用砷化镓作为太阳能电池板的材料。然而。

中科镓英立志将砷化镓晶片卖给全世界

去年注册时,中科镓英没有声张;即将奠基时,中科镓英却策划着要举办一个隆重的仪式,其中的原因,明眼人一下就能看得出来:因为注册对于企业来说,只不过是刚刚出生,而奠基则意味着企业要迈出第一步。 作为中国科学院和中国“太空材料之母” 林兰英院士的结晶,中科镓英一出生便注定会引人注目——

磁性复合流体对砷化镓晶片的超精密表面抛光

研究了磁性复合流体(MCF)浆料对砷化镓(Ga As)晶片表面纳米精密抛光的影响。通过混合CS羰基铁颗粒(CIPs)、Al_(2)O_(3)磨料颗粒、α-纤维素和磁性流体制备MCF浆料。首先,通过设计用于产生旋转磁场的MCF单元,建立了抛光装置。然后,对Ga As晶片表面进行了点抛光实验,以阐明MCF成分对不同抛光位置的表面粗糙度R_(a)和材料去除(MR)的影响。最后,使用含有不同直径颗粒的水基MCF浆料进行了扫描抛光实验。结果表明,在点抛光的情况下,水基和油基MCF处理后的初始表面粗糙度从954.07 nm分别降至1.02和20.06 nm。此外,MR的深度随着抛光时间的增加而线性增加。使用水基MCF的MR深度是使用油基MCF抛光的2.5倍。同时,抛光区的横截面轮廓显示出W型,这表明点抛光工件表面的MR不均匀。通过扫描抛光,抛光区的横截面轮廓显示出U型,这表明在给定的实验条件下,无论使用何种MCF,MR都是均匀的。使用含有直径为0.3μm的磨粒的MCF能够获得R_(a)为0.82 nm的最光滑工作表面,同时MR速率为13.5μm/h。

我国最大的砷化镓材料生产基地投产

据媒体报道，国内最大的砷化镓材料生产基地——中科晶电信息材料（北京）有限公司量产揭幕仪式近日在京举行。这标志着我国砷化镓材料生产的集成化已进入一个新的阶段。砷化镓材料是继硅单晶之后的第二代新型化合物半导体材料中最重要、用途最广泛的材料之一，在微电子和光电子领域有着巨大的应用空间。中科晶电公司是由北京中科镓英半导体有限公司、美西半导体设备材料（香港）有限公司和美国微晶公司联合成立的。其总投资为2500万美元，它依托中国科学院半导体所的前沿科研优势，并通过资源的优化整合，已逐步成为世界砷化镓行业产品线最齐全的公司之一。日前，该公司已形成月产2～3英寸砷化镓晶片5万片，4～6英寸砷化镓晶片5000片的产能；到2008年，月产量将达到2～3英寸砷化镓晶片10万片，4～6英寸砷化镓晶片5万片，年产值达1亿美元以上，产能将达世界第一位。届时，中国制造的开盒即用砷化镓晶片将享誉全球市场。

消除外延衬底中心圈缺陷的晶片清洗工艺研究及应用

针对全自动清洗机清洗的晶片,长外延后衬底易出现中心圈缺陷的问题,采取含有机溶剂乙醇的SC1清洗液、含双氧水和氨水的有机溶液SC2和有机溶液SC3溶液等六个步骤清洗晶片的自动清洗工艺,达到了消除外延衬底中心圈缺陷的效果。