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沟道应力对GaAs PHEMT材料电性能的影响
1
作者
卜夏正
武一宾
+3 位作者
商耀辉
牛晨亮
赵辉
崔琦
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第4期221-225,230,共6页
设计并用分子束外延(MBE)法制备了不同沟道结构的GaAs PHEMT材料,采用高分辨率X射线双晶衍射仪(DCXRD)、应力测试仪和霍尔测试仪对样品的结晶质量、薄层组分和厚度偏差、应力以及电子迁移率进行了分析表征。探讨了外延片应力与沟道结构...
设计并用分子束外延(MBE)法制备了不同沟道结构的GaAs PHEMT材料,采用高分辨率X射线双晶衍射仪(DCXRD)、应力测试仪和霍尔测试仪对样品的结晶质量、薄层组分和厚度偏差、应力以及电子迁移率进行了分析表征。探讨了外延片应力与沟道结构的相关性,研究了沟道失配应力对电性能的影响机理。建立了GaAs PHEMT材料热应力引起电子传输特性退化的试验方法,进行了高温和低温存储后材料电性能的演化行为测试,并归纳了热应力引起材料电特性退化的实验结果。结果表明GaAs PHEMT材料经高、低温存储并恢复室温后仍能保持原有电性能,沟道应力对材料电性能的影响主要表现为失配应力。
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关键词
砷
化
镓赝配高电子迁移率晶体管
砷化镓铟沟道
失配应力
热应力
电性能
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职称材料
题名
沟道应力对GaAs PHEMT材料电性能的影响
1
作者
卜夏正
武一宾
商耀辉
牛晨亮
赵辉
崔琦
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第4期221-225,230,共6页
文摘
设计并用分子束外延(MBE)法制备了不同沟道结构的GaAs PHEMT材料,采用高分辨率X射线双晶衍射仪(DCXRD)、应力测试仪和霍尔测试仪对样品的结晶质量、薄层组分和厚度偏差、应力以及电子迁移率进行了分析表征。探讨了外延片应力与沟道结构的相关性,研究了沟道失配应力对电性能的影响机理。建立了GaAs PHEMT材料热应力引起电子传输特性退化的试验方法,进行了高温和低温存储后材料电性能的演化行为测试,并归纳了热应力引起材料电特性退化的实验结果。结果表明GaAs PHEMT材料经高、低温存储并恢复室温后仍能保持原有电性能,沟道应力对材料电性能的影响主要表现为失配应力。
关键词
砷
化
镓赝配高电子迁移率晶体管
砷化镓铟沟道
失配应力
热应力
电性能
Keywords
GaAs PHEMT (pseudomorphic high electron mobility transistor)
InGaAs channel
mismatch-strain
thermo-strain
electronic property
分类号
TN386.3 [电子电信—物理电子学]
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
沟道应力对GaAs PHEMT材料电性能的影响
卜夏正
武一宾
商耀辉
牛晨亮
赵辉
崔琦
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009
0
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职称材料
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