锗(Ge)材料中砷(As)离子注入掺杂和退火激活的实验研究

采用离子注入和快速热退火处理获得n型锗材料,利用拉曼(Raman)光谱、二次离子质谱(SIMS)、扩展电阻测试(SRP)和四探针等分析方法,分别研究了样品热退火前后的微结构和电学性能.实验结果表明,该掺杂方法能得到稳定的n型锗材料,其电学性能随热退火温度的升高和时间的缩短而进一步改善,其中在700℃、3 s退火条件下,样品的电学激活浓度约为3.14×1019 cm-3,方块电阻为63.5Ω/sq.

X射线衍射动力学理论研究As^＋注入Si

本文用ＤＣＤ法测量了注入能量为１６０ｋｅＶ，剂量为１×１０１４～３×１０１６ｃｍ－２，退火温度为５００～７００℃的Ａｓ＋注入Ｓｉ＜１１１＞的Ｒｏｃｋｉｎｇｃｕｒｖｅ．在建立台阶模型和分布函数的基础上，用ＸＲＤ动力学理论和最小二乘法拟合实验曲线，得到晶格应变随注入深度的变化，以及在不同退火温度下的恢复情况．实验发现，剂量为１×１０１６ｃｍ－２、６００℃退火，Ｒｏｃｋｉｎｇｃｕｒｖｅ出现双峰，说明有固相外延层形成．剂量大于１×１０１５ｃｍ－２，呈现了非晶特性．

As＋注入Si1—xGex的快速退火行为

用二次离子质谱对Ａｓ＋注入Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ的快速退火行为进行了研究．Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ样品中Ｇｅ组分分别为ｘ＝０．０９，０．２７和０．４３．Ａｓ＋注入剂量为２×１０（１６）ｃｍ（－２），注入能量为１００ｋｅＶ．快速退火温度分别为９５０℃和１０５０℃，时间均为１８秒．实验结果表明，Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ中Ａｓ的扩散与Ｇｅ组分密切相关，Ｇｅ组分越大，Ａｓ扩散越快．对于Ｇｅ组分较大的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品，Ａｓ浓度分布呈现“盒形”（ｂｏｘ－ｓｈａｐｅｄ），表明扩散与Ａｓ浓度有关．Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品中Ａｓ的快扩散可能与未激活Ａｓ的快速退火行为有关．就作者所知，离子注入Ａｓ在Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ中的扩散研究，以前未见报道．

离子注入GaAs实现双包层掺镱光纤激光器被动调Q锁模

用离子注入的半绝缘GaAs晶片作为吸收体和输出镜 ,在双包层掺镱光纤激光器上实现了调Q锁模 .离子注入的能量为 4 0 0keV的As+ 离子 ,注入剂量为 1 0 1 6 cm2 ,然后在 6 0 0℃下退火 2 0min .当抽运功率为 5W时 ,脉冲平均输出功率为 2 0 0mW ,调Q包络重复频率为 5 0kHz ,半高宽为 4 μs,锁模脉冲重复频率为 1 5MHz .