LP-MOCVD生长温度对InGaAs性能的影响

众所周知,InGaAs在InP和GaAs二个系列材料中具有最大的载流子迁移率和最大的饱和速率,InGaAs/GaAs应变量子阱可以把GaAs的发射波长从0.83μm延伸到1.1μm,而InGaAs/InP量子阱激光器又可以实现1.1～1.8μm内任意波长发射,并且,InGaAs/InP探测器的响应波长范围为0.93μm～1.65μm,因此,它不论对高速电子器件如HBT和HEMT,还是光电子器件如激光器(LD)和探测器(PIN和APD)都具有极重要的意义。虽然利用液相外延巳生长出高质量的InGaAs/InP材料,但是,