镓铝砷激光促进外科感染创面愈合的作用

目的 探讨镓铝砷激光对加速术后感染及创伤创面愈合的促进作用。方法 采用镓铝砷激光治疗 6 3例感染创面 ,对感染期或恢复期不同程度的创面 ,给予不同的治疗方法、治疗剂量及综合治疗。结果 全部病例创面疼痛明显减轻 ,炎性分泌物减少 ,肉芽、上皮再生 ,加快痂皮脱落 ,创面瘢痕小。治愈率 1 0 0 %。结论 该激光具有减轻充血和水肿 ,起消炎抗感染作用 ,并使肉芽组织和上皮组织再生 ,促进创面愈合。使用的关键是准确掌握治疗方法和剂量。

镓铝砷激光并超短波配合治疗耳科炎性疾患

目的:探讨镓铝砷激光并超短波配合治疗耳科炎性疾患的疗效。方法:耳部炎症患者395例,分为综合组206例和对照组189例,均常规药物治疗,综合组加用镓铝砷激光照射和超短波治疗。结果:治疗3周后,综合组外耳道炎及化脓性中耳炎患者治愈显效率明显优于对照组(64.5%、88.7%与46.2%、39.6%,P<0.05);平均治疗时间明显少于对照组(P<0.05)。结论:辅以镓铝砷激光并超短波治疗对提高耳部炎性疾患的疗效有促进作用。

镓铝砷激光照射鼻腔对认知障碍患者脑功率等的影响

目的 观察低能量镓铝砷半导体激光疗法 (LISCL)对认知障碍患者脑功率和事件相关电位P30 0 峰潜伏期 (P3PL)的影响。方法 应用LISCL对 60例认知障碍患者进行治疗 ,分别于治疗前、治疗 5次、10次后采用CFM - 8便携式脑电监测仪和神经电检仪检测脑功率和P3PL的变化。结果 治疗前脑功率表现为额叶及颞叶脑电慢波成分较多 ,特别是颞叶底部尤为突出 ,治疗 5次后各相关指标无明显变化 ,10次后异常的高功率含量区 (δ、θ)值逐渐减少 ,额叶、颞叶底部慢波指数降低 ,表现为δ +θ/α+ β减小 ,而α、β频段减少的功率含量值逐渐增高 ,表现为δ +θ/α + β减小 ,与治疗前比较差异有非常显著性 (P <0 .0 1) ;P3PL治疗前为 ( 3 4 1.9± 2 6.0 )ms ,治疗后分别为 ( 3 2 8.3± 2 6.2 )ms和( 3 2 2 .6± 2 5 .0 )ms ,与治疗前相比明显降低 (t=2 .84 7,4 .10 6,P <0 .0 1,0 .0 0 0 1)。结论 镓铝砷半导体激光疗法可以改善认知障碍患者的脑功能和认知功能状态。

镓铝砷激光治疗复发性口疮的临床观察

镓铝砷激光治疗复发性口疮的临床观察林松杉复发性口疮是口腔科常见病之一，病因复杂，发病机制不明，易复发，治疗效果尚不理想。作者采用镓铝砷激光治疗复发性口疮，取得良好效果。一、临床资料门诊复发性口疮患者３６例，男性２０例，女性１６例；年龄最大４３岁，最小...

用电诱导液相外延法制备铝组分稳定的高铝值镓铝砷外延层

本文对用于制造高效率半导体发光器件的材料──Ｇａ_（１－ｘ）Ａｌ_ｘＡｓ（ｘ＝０．７５）外延层沿生长方向上铝组分的分布进行了详细地讨论。采用电液相外延法能获得铝组分高度稳定的Ｇａ_（１－ｘ）Ａｌ_ｘＡｓ外延层，并用电流诱导效应作了初步理论解释。

低能量镓铝砷半导体激光对颞下颌关节疼痛的疗效评价

目的探讨低能量镓铝砷半导体激光对颞下颌关节疼痛的治疗效果。方法将50例颞下颌关节疼痛患者按随机、双盲的原则分为激光治疗组(n=25)和对照组(n=25)。激光治疗组患者采用低能量镓铝砷半导体激光照射治疗,对照组患者采用能发出同样红色指示光的模拟激光照射治疗,两组照射时间均为5 min,每天照射一次,连续照射3 d。每次照射治疗前后均测量患者的开口度、前伸动度、患侧侧方动度、对侧侧方动度、压力疼痛阈值,并对患者进行疼痛视觉模拟评分,记录相应分值,采用重复测量资料的方差分析进行统计分析。结果激光治疗组患者低能量镓铝砷半导体激光治疗后,下颌功能运动状态(P<0.05)、疼痛症状(P=0.001)均有明显改善;对照组患者的下颌功能运动状态和疼痛症状与治疗前相比无明显差异(P>0.05)。结论低能量镓铝砷半导体激光能够有效缓解颞下颌关节疼痛症状,改善其下颌功能运动状态。该激光具有疗程短、效率高、无痛苦、无副作用等优点,有一定的临床应用价值。

低温生长铝镓砷光折变效应的研究

三元化合物铝镓砷(AlGaAs)是一种可用于全光固体超快诊断技术的重要材料.基于低温外延技术的AlGaAs材料不仅具有低温生长砷化镓(low-temperature grown GaAs, LT-GaAs)超短载流子寿命的特点,并且可以调整材料的禁带宽度,为超快诊断系统的设计增加了极大的灵活性.泵浦-探测实验结果表明,低温外延生长可以有效加速AlGaAs材料的非平衡载流子复合,非平衡载流子弛豫时间小于300 fs,而非平衡载流子的复合时间低至2.08 ps.由于经过特殊的钝化工艺处理,极大地降低了表面复合对载流子衰退过程的影响,而低温外延生长引入的As原子团簇,形成了深能级缺陷,是加速载流子复合的主要因素.基于单复合中心的间接复合理论,建立LT-AlGaAs载流子演化模型,获得与复合速率相关的关键物理参量:载流子俘获面积δe=6.6×10^-14 cm^2,δh=4.7×10^-15 cm^2,计算结果与实验相符.该方法可用于半导体材料载流子演化特性定量分析,有助于推进超快响应半导体材料的优化改进.

镓铝砷激光并短波综合治疗早期面神经炎疗效观察

目的 观察面神经炎患者早期药物治疗 ,配合镓铝砷激光并短波的疗效。方法 面神经患者 40例 ,随机分为药物治疗组和综合组 ,药物治疗组 2 0例 ,综合组 2 0例 ,药物治疗组采用神经内科常规用药 ,1 4天为 1个疗程。综合组在药物治疗同时 ,加用镓铝砷激光并短波的疗效 ,每日 1次 ,1 0次为 1个疗程。结果 两组患者治疗前临床特点比较 ,χ2 <3 .84,P >0 .0 5 ,差异无显著性。经治疗后 ,综合组有效率 90 % ,药物治疗组为 70 % ,综合组的治愈率显著高于常规治疗组 ,采用非参数统计Ridit分析 ,U =2 .1 5 ,P <0 .0 5 ,差异有显著性。结论 早期面神经炎患者 ,药物治疗配合镓铝砷激光并短波 ,产生协同作用 ,使临床疗效明显提高。

铝镓砷中硅δ掺杂的SIMS分析

评述了国际上δ掺杂样品SIMS分析的现状，研究了相关的基础实验技术，讨论了分析硅δ掺杂的AlGaAs样品时，选择高质量分辨及对不同一次离子能量下相对灵敏度因子进行核准的必要性，考察了一次束的展宽效应和δ掺杂层位置的微分飘移，对硅δ掺杂的AlGaAs样品用O源进行了定量分析，并对结果作了讨论。

低能量镓铝砷激光在治疗颞下颌关节紊乱综合征中的应用

颞下颌关节紊乱综合征是口腔科常见病,由于病因复杂,治疗上有一定难度。作者自1992年至1995年应用低能量镓铝砷激光对110例患者进行治疗和观察,收到满意效果。 材料和方法 1.激光治疗仪:低能量镓铝砷半导体激光治疗仪由日本森田公司出品,输出功率为30mw,输出波长为79nm。

低能量镓铝砷激光治疗仪在口腔科临床中的应用(附294例临床报告)

本文采用了由日本森田公司生产的低能量镓铝砷半导体激光治疗仪,应用于口腔临床,对有反馈的294例患者的疗效看,总有效率在95%以上,收到较满意效果.低能量镓铝砷激光适应症广泛,具有无痛、穿透力强和疗效明显等优点,使用时有简单、轻便、易掌握、易消毒等特点,镓铝砷半导体激光器是我们口腔科较为理想的治疗手段.

高铝GaAlAs及其多层结构MOVPE生长特性

本文报导了高铝GaAlAs及其多层结构的生长特性.X光双晶衍射结果表明,多层GaAlAs叠层材料的X光双晶衍射峰呈现多级卫星峰,这表明材料具有良好的晶体完整性和结构周期性.